申请/专利权人：苏州华太电子技术有限公司

申请日：2020-11-12

公开（公告）日：2022-05-13

公开（公告）号：CN114497172A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.05.31#实质审查的生效;2022.05.13#公开

摘要：本发明公开了一种用于射频放大的双重降低表面电场RFLDMOS器件，其包括衬底和外延层，所述外延层内分布有沟道区、漂移区、阱区和埋层区，所述漂移区内形成有漏区，所述阱区内形成有源区和掺杂区，所述沟道区还分别与所述源区、漂移区电性连接，所述源区还与所述掺杂区电性接触或电性结合；以及，源极、漏极、栅极和场板，所述源极、漏极分别与源区、漏区电性连接，所述源极还与所述衬底电性连接，至少所述漂移区的部分区域位于所述场板和埋层区之间；其中，所述衬底、外延层、阱区、埋层区和掺杂区均为第一掺杂类型，所述沟道区、漂移区、源区、漏区均为第二掺杂类型。本发明通过埋层区与顶层场板对漂移区电场形成双重降低表面电场，可以提高器件的BV。

主权项：1.一种用于射频放大的双重降低表面电场RFLDMOS器件，其特征在于包括沿指定方向依次叠层设置的衬底和外延层，所述外延层内分布有沟道区、漂移区、阱区和埋层区，所述漂移区内形成有漏区，所述阱区内形成有源区和掺杂区，所述沟道区还分别与所述源区、漂移区电性接触或电性结合，所述源区还与所述掺杂区电性接触或电性结合；以及，源极、漏极、栅极和场板，所述源极、漏极分别与源区、漏区电性连接，所述源极还与所述衬底电性连接，所述栅极和场板位于所述外延层的上方，所述栅极至少覆盖部分所述沟道区并延伸至所述漂移区的上方，至少所述漂移区的部分区域位于所述场板和埋层区之间；其中，所述衬底、外延层、阱区、埋层区和掺杂区均为第一掺杂类型，所述沟道区、漂移区、源区、漏区均为第二掺杂类型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州华太电子技术有限公司 用于射频放大的双重降低表面电场RFLDMOS器件

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