申请/专利权人：芯恩(青岛)集成电路有限公司

申请日：2020-12-28

公开（公告）日：2022-07-01

公开（公告）号：CN114695113A

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;H01L21/8249;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/737;H01L27/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.07.19#实质审查的生效;2022.07.01#公开

摘要：本发明提供一种BiCMOS及其中的异质结双极晶体管制造方法，在形成异质结双极晶体管的抬高的非本征基区时，首先在外延硅中原位掺杂C和B，并且同时掺杂金属催化剂，然后对C进行等离子体处理以及激光退火，在Si外延层中形成石墨烯区域，由于石墨烯具有良好的迁移率，由此能够降低SiGeHBT的基极电阻，提高其射频性能。上述方法在传统BiCMOS器件工艺基础上通过对掺杂的C进行等离子体处理及激光退火就能在非本征基区内形成石墨烯区域，整个过程易于控制，易于与传统BiCMOS器件工艺集成。

主权项：1.一种BiCMOS器件中的异质结双极晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括CMOS器件区及HBT器件区；在所述衬底中形成阱区，相邻阱区之间形成有浅沟槽隔离；在所述HBT器件区的阱区上方形成第一导电类型的集电区；在所述集电区上方形成第二导电类型的本征基区；所述本征基区上方形成第一导电类型的发射区；在所述发射区两侧形成抬高的第二导电类型的非本征基区，所述非本征基区内形成有石墨烯区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯恩(青岛)集成电路有限公司 一种BiCMOS器件及其中的异质结双极晶体管制造方法

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