申请/专利权人：青海大学

申请日：2022-06-07

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115073205A

主分类号：C04B38/06

分类号：C04B38/06;C04B35/571;C04B35/622

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2024.03.15#发明专利申请公布后的驳回;2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本发明公开了一种多孔SiC陶瓷和多孔SiC陶瓷的低温制备方法，包括：取黄色透明状聚碳硅烷，研磨至白色粉末状，然后称取研磨好的白色粉末于180℃保温8h，得到白色块体，将白色块体研磨成粉末，得到预氧化的聚碳硅烷；取预氧化的聚碳硅烷和PMMA微球，混合后研磨，得到混合粉末；将混合粉末加入模具放置在SPS烧结炉中进行加压加热成型得到热压成型的样品；将热压成型的样品放置在马弗炉炉腔中，连续抽真空、通氩气三次，然后将炉腔抽真空，在真空状态下梯度升温，使热压成型的样品高温热解、晶化，最后随炉冷却得到多孔SiC陶瓷。本发明的方法制得的多孔SiC陶瓷不但流程短孔径均匀，而且作为有机相变储能材料的载体优势明显。

主权项：1.多孔SiC陶瓷的低温制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1取黄色透明状聚碳硅烷，研磨至白色粉末状，然后称取研磨好的白色粉末于180℃保温8h，得到白色块体，将所述白色块体研磨成粉末，得到预氧化的聚碳硅烷；2取所述预氧化的聚碳硅烷和PMMA微球，混合后研磨，使两者充分混合，得到混合粉末；3将所述混合粉末加入模具放置在SPS烧结炉中进行加压加热成型，首先，连续抽真空、通氩气三次，然后向炉腔中通入氩气，在6.3MPa的初始压力下以10℃min的速率加热到140℃，保温10min，继续以10MPamin的升压速率升至20MPa，140℃继续保温10min，再以10MPamin的升压速率升至40MPa，140℃继续保温10min，最后以100℃min的降温速率降至30℃，同时以10MPamin的速率降压至10MPa，得到热压成型的样品；4将所述热压成型的样品放置在马弗炉炉腔中，连续抽真空、通氩气三次，然后将炉腔抽真空，在真空状态下以0.5℃min的速率升至450℃，保温2h，继续以2.5℃min的速率升至950℃，保温1h，最后以5℃min的速率升至1300℃，保温30min，随炉冷却，得到多孔SiC陶瓷。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 青海大学 多孔SiC陶瓷和多孔SiC陶瓷的低温制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD