申请/专利权人：济南晶正电子科技有限公司

申请日：2022-06-28

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115083873A

主分类号：H01J37/20

分类号：H01J37/20;H01J37/317;B24B1/00;B24B31/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本申请保护了一种注入靶盘改良方法，包括将靶盘在抛光液中进行一次抛光，得到粗抛靶盘；将所述粗抛靶盘在抛光液中进行二次抛光，得到细抛靶盘。其中抛光液包括水、研磨液、光亮剂和磁性钢针，所述水与所述研磨液的比例为6:1‑10:1，所述水与所述光亮剂的比例为6:1‑10:1。本申请通过对靶盘进行磁力抛光处理，将靶盘表面加工损伤层去除，露出里面新鲜层，然后对靶盘进行清洁处理，得到改良靶盘。改良后的靶盘，使用过程中束流长时间轰击，也不会引起靶盘起皮脱落。

主权项：1.一种注入靶盘改良方法，其特征在于，包括：将靶盘在抛光液中依据一次抛光参数执行一次抛光，得到粗抛靶盘；将所述粗抛靶盘在抛光液中依据二次抛光参数执行二次抛光，得到细抛靶盘，所述抛光液包括水、研磨液、光亮剂和磁性钢针，所述水与所述研磨液的比例为6:1-10:1，所述水与所述光亮剂的比例为6:1-10:1；将所述细抛靶盘在半导体级肥皂水溶液中进行超声清洁处理，得到清洁靶盘，所述半导体级肥皂水溶液包括洗洁精和去离子水，所述洗洁精和去离子水的体积比为1:1000。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 济南晶正电子科技有限公司 一种注入靶盘改良方法

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