申请/专利权人:歌尔科技有限公司
申请日:2021-03-10
公开(公告)日:2022-09-20
公开(公告)号:CN112947862B
主分类号:G06F3/06
分类号:G06F3/06;G06F11/10
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.09.20#授权;2021.07.02#实质审查的生效;2021.06.11#公开
摘要:本发明公开了一种Flash存储器的数据存储方法,Flash存储器包括至少两个用于存储数据的目录信息的第一存储区域,Flash存储器的数据存储方法包括以下步骤:在接收到指令,且指令触发目录信息的写入操作时,在各个第一存储区域中,确定第一目标存储区域以及第二目标存储区域,其中,第二目标存储区域为数据写入次数最少的第一存储区域,第一目标存储区域为上一次进行写入操作的第一存储区域;从第一目标存储区域中读取第一目录信息,并将第二目标存储区域存储的第二目录信息擦除;根据指令更新第一目录信息,并将更新后的第一目录信息写入第二目标存储区域。本发明还公开一种Falsh存储器和设备。本发明延长了Flash存储器的使用寿命。
主权项:1.一种Flash存储器的数据存储方法,其特征在于,所述Flash存储器包括至少两个用于存储数据的目录信息的第一存储区域,所述Flash存储器的数据存储方法包括以下步骤:在接收到指令,且所述指令触发目录信息的写入操作时,在各个所述第一存储区域中,确定第一目标存储区域以及第二目标存储区域,其中,所述第二目标存储区域为数据写入次数最少的所述第一存储区域,所述第一目标存储区域为上一次进行写入操作的所述第一存储区域;从所述第一目标存储区域中读取第一目录信息,并将所述第二目标存储区域存储的第二目录信息擦除;根据所述指令更新所述第一目录信息,并将更新后的所述第一目录信息写入所述第二目标存储区域;其中,所述Flash存储器包括若干用于存储数据的第二存储区域,所述根据所述指令更新所述第一目录信息,并将更新后的所述第一目录信息写入所述第二目标存储区域的步骤包括:在所述指令为数据写入指令时,确定所述数据写入指令对应的数据的第一索引;在各个所述第二存储区域中确定第三目标存储区域,并获取所述第三目标存储区域的标识;将所述标识以及所述索引关联添加至所述第一目录信息,以对所述第一目录信息进行更新;将更新后的所述第一目录信息写入所述第二目标存储区域,并将所述数据写入指令对应的数据写入至所述第三目标存储区域。
全文数据:
权利要求:
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