申请/专利权人：三星显示有限公司

申请日：2017-07-27

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN107664893B

主分类号：G02F1/1368

分类号：G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/1339

优先权：["20160729 KR 10-2016-0096840"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.23#授权;2019.08.23#实质审查的生效;2018.02.06#公开

摘要：一种显示器基板，包括：基底基板、设置在所述基底基板上的开关元件、设置在所述开关元件上的第一层、设置在所述第一层上的第一电极、设置在所述第一电极上的绝缘层以及设置在所述绝缘层的接触孔上的分隔物。所述开关元件包括栅极、源极和漏极。接触孔限定在所述绝缘层中以暴露一部分所述第一电极。

主权项：1.一种显示器基板，包括：基底基板；设置在所述基底基板上的开关元件，其中所述开关元件包括栅极、源极和漏极；设置在所述开关元件上的第一层；设置在所述第一层上的第一电极，所述第一电极为共用电极，用于驱动液晶层的共用电压施加至所述共用电极；设置在所述第一电极上的绝缘层，其中在所述绝缘层中限定接触孔以暴露一部分所述第一电极；设置在所述绝缘层中的接触孔上的分隔物；以及设置在所述绝缘层上的第二电极以覆盖所述接触孔，所述第二电极为用于粘合所述分隔物与所述第一电极的粘合剂图案，其中所述分隔物直接接触所述第二电极。

全文数据：显示器基板技术领域[0001]本发明的示例性实施方式涉及一种显示器基板以及制造该显示器基板的方法。背景技术[0002]随着信息社会的发展，由于对各种类型的显示设备的需求近来已经增加，因此对显示设备如液晶显示器LCD装置、等离子体显示器面板PDP装置、场致发射显示器FED装置、电泳显示器EPD装置以及有机发光显示器OLED装置的研究已经积极地进行。[0003]一般而言，LCD面板包括薄膜晶体管TFT基板、对基板countersubstrate和液晶LC层。TFT基板通常包括多个栅极线、与栅极线交叉的多个数据线、与栅极线和数据线连接的多个TFT以及与TFT连接的多个像素电极。TFT可以包括从栅极线延伸的栅极、延伸至数据线的源极和与源极隔开的漏极。发明内容[0004]在液晶显示器LCD面板中，柱形分隔物可以提供在薄膜晶体管TFT基板和对基板之间以保持液晶间隙（cellgap。然而，如果柱形分隔物被水平方向的外力移动，则柱形分隔物会刮擦取向膜。因此，当取向膜被刮擦时，显示器装置会具有一些缺陷。[0005]本发明的示例性实施方式提供显示器基板，其中可以有效地防止或实质上减少由水平方向的外力引起的缺陷。[0006]本发明的示例性实施方式也提供制造该显示器基板的方法。[0007]在根据本发明的显示器基板的示例性实施方式中，显示器基板包括基底基板;设置在所述基底基板上的开关元件，其中所述开关元件包括栅极、源极和漏极，所述栅极电连接至在第一方向上延伸的栅极线，所述源极电连接至在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线，并且所述漏极与所述源极隔开;设置在所述开关元件上的第一层;设置在所述第一层上的第一电极;设置在所述第一电极上的绝缘层，其中在所述绝缘层中限定接触孔以暴露一部分所述第一电极；以及设置在所述绝缘层的接触孔上的分隔物。所述第一层可为有机层，且所述分隔物可为柱形分隔物。[0008]在示例性实施方式中，所述柱形分隔物可直接接触所述第一电极的暴露部分。[0009]在示例性实施方式中，所述绝缘层的厚度可大于或等于约1.8微米μπι且小于或等于约2.2μηι。[0010]在示例性实施方式中，所述显示器基板可进一步包括设置在所述绝缘层上的第二电极以覆盖所述接触孔。所述第二电极可为粘合剂图案。[0011]在示例性实施方式中，所述柱形分隔物可直接接触所述第二电极。[0012]在示例性实施方式中，所述第二电极可包括与所述第一电极基本上相同的材料。[0013]在示例性实施方式中，所述第二电极可直接接触所述第一电极。[00Μ]在根据本发明的显示器基板的示例性实施方式中，显示器基板包括基底基板;设置在所述基底基板上的开关元件，其中所述开关元件包括栅极、源极和漏极，所述栅极电连接至在第一方向上延伸的栅极线，所述源极电连接至在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线，并且所述漏极与所述源极隔开;设置在所述开关元件上的第一层;设置在所述第一层上的第一电极;设置在所述第一电极上的绝缘层;设置在所述绝缘层上的第二电极；以及设置在所述第二电极上的分隔物。所述第一层为有机层，所述第二电极为粘合剂电极，且所述分隔物为柱形分隔物。[0015]在示例性实施方式中，所述柱形分隔物可直接接触所述第二电极。[0016]在示例性实施方式中，所述第二电极可包括与所述第一电极基本上相同的材料。[0017]在示例性实施方式中，所述绝缘层的厚度可大于或等于约1.8μπι且小于或等于约2·2μηι〇[0018]在制造显不器基板的方法的不例性实施方式中，所述方法包括:在基底基板上提供开关元件，其中所述开关元件包括栅极、源极和漏极，所述栅极电连接至在第一方向上延伸的栅极线，所述源极电连接至在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线，并且所述漏极与所述源极隔开;在所述开关元件上提供第一层;在所述第一层上提供第一电极；在所述第一电极上提供绝缘层；以及在所述绝缘层上提供分隔物。所述第一层为有机层，且所述分隔物为柱形分隔物。[0019]在示例性实施方式中，所述提供柱形分隔物可包括在所述绝缘层上形成接触孔，所述接触孔部分地暴露所述第一电极，并在所述接触孔上形成所述柱形分隔物。[0020]在示例性实施方式中，所述提供柱形分隔物可包括在所述绝缘层上形成接触孔，其中所述接触孔暴露一部分所述第一电极，在所述接触孔上提供粘合剂图案，并在所述粘合剂图案上提供所述柱形分隔物。[0021]在示例性实施方式中，所述粘合剂图案包括与所述第一电极基本上相同的材料。[0022]在示例性实施方式中，所述提供柱形分隔物可包括在所述绝缘层上提供第二电极，并在所述第二电极上提供所述柱形分隔物。所述第二电极可为粘合剂电极。[0023]在示例性实施方式中，所述粘合剂电极可包括与所述第一电极基本上相同的材料。[0024]在示例性实施方式中，所述柱形分隔物可直接接触所述粘合剂电极。[0025]在示例性实施方式中，所述绝缘层的厚度可大于或等于约1.8μπι并小于或等于约2·2μηι〇[0026]根据示例性实施方式，显示器基板包括在接触孔上并直接接触第一电极可为共用电极）的柱形分隔物。因此，其可以防止在对基板上的柱形分隔物刮擦在基底基板上的取向膜。[0027]在这样的实施方式中，显示器基板包括在粘合剂图案上的柱形分隔物。因此，其可以防止在对基板上的柱形分隔物刮擦在基底基板上的取向膜。附图说明[0028]通过参考附图详细描述本发明的示例性实施方式，本发明的上述和其它特征以及优势将变得更加明显，在附图中：[0029]图1是图示说明根据本发明的示例性实施方式的显示器基板的平面图；[0030]图2是沿图1的线Ι-Γ获得的截面图；[0031]图3-6是图示说明制造图2的显示器基板的方法的示例性实施方式的截面图；[0032]图7是图示说明根据本发明的可替换的示例性实施方式的显示器基板的平面图；[0033]图8是沿图7的线ΙΙ-ΙΓ获得的截面图；[0034]图9-12是图示说明制造图8的显示器基板的方法的示例性实施方式的截面图；[0035]图13是图示说明根据本发明的另一可替换的示例性实施方式的显示器基板的平面图；[0036]图14是沿图13的线ΙΙΙ-ΙΙΓ获得的截面图；[0037]图15-18是图示说明制造图14的显示器基板的方法的示例性实施方式的截面图。具体实施方式[0038]现在将参照附图在下文中更充分地描述本发明，其中示出了各种实施方式。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式，使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。在整个说明书中相同的附图标记指代相同的元件。[0039]将理解，当元件被称为在另一元件“上”时，其可以直接在另一元件上，或者其间可以存在中间元件。相对而言，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，不存在中间元件。[0040]将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用于描述各种元件、组件、区、层和或部分，这些元件、组件、区、层和或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区、层或部分与另一元件、组件、区、层或部分区分开来。因此，可以将下面讨论的“第一元件”、“组件”、“区”、“层”或“部分”命名为第二元件、组件、区、层或部分，而不背离本文的教导。[0041]本文使用的术语仅出于描述特定实施方式的目的，而非旨在限制。如本文使用的，除非文中另有明确指示，单数形式“一个”、“一种”和“所述该”旨在包括复数形式，包括“至少一个”。“或”意为“和或”。如本文使用的，术语“和或”包括一个或多个相关列出项的任何和所有组合。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和或“包含”或“含有”和或“含”限定所陈述的特征、区、整数、步骤、操作、元件和或组件的存在，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、区、整数、步骤、操作、元件、组件和或它们的组。[0042]此外，本文中可以使用比如“下”或“底”和“上”或“顶”的相对术语来描述如附图所说明的一个元件与另一元件的关系。将理解，除了附图中描绘的取向之外，相对术语旨在涵盖装置的不同取向。例如，如果将附图之一中的装置翻转，则被描述为在其它元件的“下”面的元件将被定向在其他元件的“上”面。因此，取决于附图的特定取向，示例性术语“下”可以涵盖“下”和“上”两种取向。类似地，如果将附图之一中的装置翻转，则被描述为在其它元件的“下”或“下面”的元件将被定向在其他元件“上”。因此，示例性术语“下”或“下面”可以涵盖上和下两种取向。[0043]考虑到有争议的测量和与测量特定数量相关联的误差（即测量体系的局限性），如本文使用的“约”或“大约”包括在由本领域普通技术人员测定的特定值的偏差的可接受范围内的所述值和平均数的情况。[0044]除非另有定义，本文使用的所有术语包括技术和科学术语具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。还将理解，比如在通常使用的字典中定义的那些术语，除非在本文中明确定义，其应被解释为具有与其在相关领域和本公开的上下文中一致的含义，而不会被解释为理想化的或过于正式的含意。[0045]本文参照截面图（其为理想化实施方式的示意图）描述示例性实施方式。这样，例如制造技术和或公差导致的图示的形状的变化是被预料到的。因此，本文所述的实施方式不应被解释为限于如本文图示的区的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，图示或描述为平坦的区通常可以具有粗糙和或非线性特征。此外，图示的尖角可以是圆的。因此，附图中图示的区本质上是示意性的，并且它们的形状并非旨在说明区的精确形状，且非旨在限制本权利要求书的范围。[0046]在下文中，将参照附图详细描述本发明的示例性实施方式。[0047]图1是图示说明根据本发明的示例性实施方式的显示器基板的平面图。图2是沿图1的线1-1’获得的截面图。[0048]参见图1和图2，显示器基板的示例性实施方式包括基底基板110;包括栅极线GL和栅极GE的栅极金属图案;包括数据线DL的数据金属图案datametalpattern;源极SE和漏极DE;第一绝缘层120;有源图案AP;第二绝缘层130;有机层140;共用电极CE;第三绝缘层150;像素电极PE和柱形分隔物CS。[0049]栅极线GL在第一方向上延伸。栅极线GL可具有单层结构，包括铜Cu、银Ag、铬Cr、钼Mo、铝Al、钛Ti、锰Mn及其混合物中的至少一种。或者，栅极线GL可具有多层结构，包括含有彼此不同的材料的多个金属层。栅极线GL电连接至开关元件SW的栅极GE。一部分栅极线GL可形成或限定栅极GE。[0050]第一绝缘层120设置在栅极线GL和栅极GE上。第一绝缘层120可包括无机材料。在一个示例性实施方式中，例如，第一绝缘层120可包括硅氧化物（SiOx和或硅氮化物SiNx。在一个示例性实施方式中，例如，第一绝缘层120可包括硅氧化物SiOx，且可具有约500埃的厚度。在示例性实施方式中，第一绝缘层120可包括含有彼此不同的材料的多个层。[0051]有源图案AP设置在第一绝缘层120上。有源图案AP可包括氧化物半导体。在一个示例性实施方式中，例如，氧化物半导体可包括氧化锌（ZnO、氧化锌锡（ZTO、氧化锌铟ZIO、氧化铟（InO、氧化钛TiO、氧化铟镓锌（IGZO、氧化铟锌锡（IZTO或其组合混合物。在一个示例性实施方式中，例如，氧化物半导体可包括IGZ0。[0052]数据金属图案设置在有源图案AP上。数据金属图案可包括数据线DL、源极SE和漏极DE。数据线DL电连接至源极SE。数据线DL可设置在与源极SE和漏极DE—样的层中或直接在与源极SE和漏极DE—样的层上。[0053]第二绝缘层130设置在源极SE和漏极DE上。第二绝缘层130可包括无机材料。在一个示例性实施方式中，例如，第二绝缘层130可包括硅氧化物SiOx和或硅氮化物SiNx。在一个示例性实施方式中，例如，第二绝缘层130可包括硅氧化物SiOx，且可具有约500A的厚度。在示例性实施方式中，第二绝缘层130可具有包含彼此不同的材料的多层结构。[0054]有机层140设置在第二绝缘层130上。有机层140使显示器基板的上表面平坦化，如此可有效防止由于如信号线断开的步骤引起的问题。有机层140可为包含有机材料的绝缘层。[0055]共用电极CE设置在有机层140上。共用电极CE可包括透明导电材料，如氧化铟锡ITO和氧化铟锌（IZO。在示例性实施方式中，共用电极CE可包括钛（Ti和或钼钛MoTi。将共用电压施加至共用电极CE。[0056]第三绝缘层150设置在共用电极CE上。第三绝缘层150可包括无机材料如硅氧化物SiOx和或硅氮化物SiNx。在一个示例性实施方式中，例如，第三绝缘层150包括硅氧化物SiOx，且可具有大于或等于约1.8μπι且小于或等于约2.2μπι的厚度。在示例性实施方式中，第三绝缘层150可包括含有彼此不同的材料的多个层。[0057]接触孔CH被限定在第三绝缘层150中并暴露一部分共用电极CE。柱形分隔物CS设置在接触孔CH上或接触孔CH中。柱形分隔物CS可直接接触共用电极CE的暴露部分。柱形分隔物CS可接触设置在与基底基板110相对的对基板上的另一柱形分隔物未示出）。如果未形成柱形分隔物CS，设置在对基板上的柱形分隔物未示出）可刮擦设置在基底基板110上的取向膜，如此显示器基板会具有一些缺陷。[0058]共用电极CE和柱形分隔物CS二者均可包括疏水材料。或者，共用电极CE和柱形分隔物CS二者均可包括亲水材料。因此，共用电极CE和柱形分隔物CS可彼此粘合。[0059]根据示例性实施方式，显示器基板包括设置在接触孔CH上并直接接触共用电极CE的柱形分隔物CS。因此，其可有效防止设置在对基板上的柱形分隔物刮擦在基底基板110上的取向膜。[0060]图3-6是图示说明制造图2的显示器基板的方法的示例性实施方式的截面图。[0061]参见图3，栅极GE和第一绝缘层120形成在基底基板110上。[0062]在一个示例性实施方式中，例如，在基底基板110上提供或形成栅极金属层，并将栅极金属层图案化，以形成栅极线GL和栅极GE。玻璃基板、石英基板、硅基板或塑料基板等可用作基底基板110。[0063]栅极金属层可包括铜Cu、银Ag、铬Cr、钼Mo、铝Al、钛Ti、锰Mn和或其合金。栅极金属层可具有单层结构或多层结构，该多层结构具有包含彼此不同的材料的多个金属层。在一个示例性实施方式中，例如，栅极金属层可包括形成在铜层的上部和或下部上的铜层和钛层。[0064]在这样的实施方式中，提供或形成第一绝缘层120以覆盖栅极线GL和栅极GE。第一绝缘层120可包括硅氮化物或硅氧化物等。第一绝缘层120可具有单层结构或多层结构。在一个示例性实施方式中，例如，第一绝缘层120可包括下绝缘层包含硅氮化物和上绝缘层包含硅氧化物）。[0065]参见图4,在其上提供了第一绝缘层120的基底基板110上提供或形成有源图案AP、源极SE、漏极DE和第二绝缘层130。[0066]在第一绝缘层120上提供或形成有源图案AP。有源图案AP可包括氧化物半导体。在一个示例性实施方式中，例如，氧化物半导体可包括氧化锌ZnO、ΖΤ0、ΖΙ0、氧化铟（InO、氧化钛TiO、IGZ0、IZTO或其组合混合物。在一个示例性实施方式中，例如，氧化物半导体可包括IGZO。[0067]在有源图案AP上提供或形成数据金属图案。数据金属图案可包括数据线DL、源极SE和漏极DE。数据线DL电连接至源极SE。可在与源极SE和漏极DE相同的层中或直接在与源极SE和漏极DE相同的层上提供或形成数据线DL。[0068]在源极SE和漏极DE上提供或形成第二绝缘层130。第二绝缘层130可包括无机材料。在一个示例性实施方式中，例如，第二绝缘层130可包括硅氧化物（SiOx或硅氮化物SiNx。在一个示例性实施方式中，例如，第二绝缘层130可包括硅氧化物SiOx，且可具有约500A的厚度。在示例性实施方式中，第二绝缘层130可具有包含彼此不同的材料的多层结构。[0069]参见图5,在其上提供了第二绝缘层130的基底基板110上提供或形成有机层140和共用电极CE。[0070]在第二绝缘层130上提供或形成有机层140。有机层140使显示器基板的上表面平坦化，如此可防止由于如信号线断开的步骤引起的问题。有机层140可为包含有机材料的绝缘层。[0071]在有机层140上提供或形成共用电极CE。共用电极CE可包括透明导电材料，如ITO和ΙΖ0。在示例性实施方式中，共用电极CE可包括钛Ti和或钼钛MoTi。将共用电压施加至共用电极CE。[0072]参见图6,在其上提供了共用电极CE的基底基板110上提供或形成第三绝缘层150。然后，将第三绝缘层150图案化以形成接触孔CH。[0073]在共用电极CE上提供或形成第三绝缘层150。第三绝缘层150可包括无机材料如硅氧化物SiOx和或硅氮化物SiNx。在一个示例性实施方式中，例如，第三绝缘层150包括硅氧化物（SiOx，且可具有大于或等于约1.8μπι且小于或等于约2.2μπι的厚度。在示例性实施方式中，第三绝缘层150可包括含有彼此不同的材料的多个层。[0074]在第三绝缘层150中形成接触孔CH以暴露一部分共用电极CE。[0075]回顾图2,在其上形成了第三绝缘层150的基底基板110上提供或形成柱形分隔物CSo[0076]在接触孔CH中或在接触孔CH上提供或形成柱形分隔物CS。柱形分隔物CS可直接接触共用电极CE的暴露部分。[0077]图7是图示说明根据本发明的可替换示例性实施方式的显示器基板的平面图。图8是沿图7的线ΙΙ-ΙΓ获得的截面图。[0078]除了粘合剂图案AE，图7和图8中所示的显示器基板基本上与图1和图2的显示器基板相同。因此，相同的附图标记将用于指示与上述示例性实施方式中描述的那些相同或类似的部分，并且将省去或简化其任何重复性的细节描述。[0079]参见图7和8,显示器基板的示例性实施方式包括基底基板1110、包括栅极线GL和栅极GE的栅极金属图案、包括数据线DL的数据金属图案、源极SE和漏极DE、第一绝缘层1120、有源图案AP、第二绝缘层1130、有机层1140、共用电极CE、第三绝缘层1150、像素电极PE和柱形分隔物CS。[0080]在这样的实施方式中，接触孔CH被限定在第三绝缘层1150中并暴露一部分共用电极CE。粘合剂图案AE设置在接触孔CH上。粘合剂图案AE覆盖接触孔CH。粘合剂图案AE可直接接触共用电极CE的暴露部分。粘合剂图案AE可包含与共用电极CE基本上相同的材料。粘合剂图案AE可包含透明导电材料，如ITO和ΙΖ0。在示例性实施方式中，粘合剂图案AE可包含钛Ti和或钼钛MoTi。[0081]柱形分隔物CS设置在粘合剂图案AE上。柱形分隔物CS可直接接触粘合剂图案AE。柱形分隔物CS可接触设置在与基底基板1110相对的对基板上的另一柱形分隔物未示出）。如果没有提供柱形分隔物CS，在对基板上的柱形分隔物（未示出）会刮擦形成在基底基板1110上的取向膜，如此显示器基板会具有一些缺陷。[0082]粘合剂图案AE和柱形分隔物CS二者均可包括疏水材料。或者，粘合剂图案AE和柱形分隔物CS二者均可包括亲水材料。因此，粘合剂图案AE和柱形分隔物CS可彼此粘合。[0083]根据示例性实施方式，显示器基板包括设置在接触孔CH中和共用电极CE上的柱形分隔物CS。因此，其可防止形成在对基板上的柱形分隔物刮擦在基底基板1110上的取向膜。[0084]图9至图12是图示说明制造图8的显示器基板的方法的示例性实施方式的截面图。[0085]参见图9，在基底基板1110上提供或形成栅极GE和第一绝缘层1120。[0086]在一个示例性实施方式中，例如，在基底基板1110上提供或形成栅极金属层，并将栅极金属层图案化，以形成栅极线GL和栅极GE。玻璃基板、石英基板、硅基板或塑料基板等可被用作基底基板1110。[0087]栅极金属层可包括铜Cu、银Ag、铬Cr、钼Mo、铝Al、钛Ti、锰Mn和或其合金。栅极金属层可具有单层结构或具有包含彼此不同的材料的多个金属层的多层结构。在一个示例性实施方式中，例如，栅极金属层可包括形成在铜层的上部和或下部上的铜层和钛层。[0088]在这样的实施方式中，提供或形成第一绝缘层1120覆盖栅极线GL和栅极GE。第一绝缘层1120可包括硅氮化物或硅氧化物等。第一绝缘层1120可具有单层结构或多层结构。在一个示例性实施方式中，例如，第一绝缘层1120可包括下绝缘层包含硅氮化物和上绝缘层包含硅氧化物）。[0089]参见图10,在其上提供了第一绝缘层1120的基底基板1110上提供或形成有源图案AP、源极SE、漏极DE和第二绝缘层1130。[0090]在第一绝缘层1120上提供或形成有源图案AP。有源图案AP可包括氧化物半导体。在一个示例性实施方式中，例如，氧化物半导体可包括氧化锌（ZnO、ΖΤ0、ΖΙ0、氧化铟InO、氧化钛TiO、IGZ0、IZTO或其组合混合物。在一个示例性实施方式中，例如，氧化物半导体可包括IGZ0。[0091]在有源图案AP上提供或形成数据金属图案。数据金属图案可包括数据线DL、源极SE和漏极DE。数据线DL电连接至源极SE。在其上形成了源极SE和漏极DE的层上可形成数据线DL0[0092]在源极SE和漏极DE上提供或形成第二绝缘层1130。第二绝缘层1130可包括无机材料。在一个示例性实施方式中，例如，第二绝缘层1130可包括硅氧化物（SiOx或硅氮化物SiNx。在一个示例性实施方式中，例如，第二绝缘层1130可包括硅氧化物SiOx，且可具有约SOOA的厚度。在示例性实施方式中，第二绝缘层1130可具有包含彼此不同的材料的多层结构。[0093]参见图11，在其上提供了第二绝缘层1130的基底基板1110上提供或形成有机层1140和共用电极CE。[0094]在第二绝缘层1130上提供或形成有机层1140。有机层1140使显示器基板的上表面平坦化，如此可防止如信号线断开的步骤引起的问题。有机层1140可为包括有机材料的绝缘层。[0095]在有机层1140上提供或形成共用电极CE。共用电极CE可包括透明导电材料，如ITO和IZO。在示例性实施方式中，共用电极CE可包括钛Ti和或钼钛MoTi。将共用电压施加至共用电极CE。[0096]参见图12,在其上提供了共用电极CE的基底基板1110上提供或形成第三绝缘层1150。然后，将第三绝缘层1150图案化以形成接触孔CH。在接触孔CH上提供或形成粘合剂图案AE。[0097]在共用电极CE上提供或形成第三绝缘层1150。第三绝缘层1150可包括无机材料如硅氧化物SiOx和或硅氮化物SiNx。在一个示例性实施方式中，例如，第三绝缘层1150包括硅氧化物（SiOx，且可具有大于或等于约1.8μπι且小于或等于约2.2μπι的厚度。在示例性实施方式中，第三绝缘层1150可包括含有彼此不同的材料的多个层。[0098]接触孔CH形成在第三绝缘层1150中并暴露一部分共用电极CE。在接触孔CH上提供或形成粘合剂图案AE。粘合剂图案AE覆盖接触孔CH。粘合剂图案AE可直接接触共用电极CE的暴露部分。粘合剂图案AE可包括与共用电极CE基本上相同的材料。粘合剂图案AE可包括透明导电材料，如ITO和ΙΖ0。在示例性实施方式中，粘合剂图案AE可包括钛Ti和或钼钛MoTi〇[0099]参见图8,在其上提供了粘合剂图案AE的基底基板1110上提供或形成柱形分隔物CS0[0100]在粘合剂图案AE上提供柱形分隔物CS。柱形分隔物CS可直接接触粘合剂图案AE。[0101]图13是图示说明根据本发明的另一可替换的示例性实施方式的显示器基板的平面图。图14是沿图13的线ΙΙΙ-ΙΙΓ获得的截面图。[0102]图13和14中所示的显示器基板与图1和2的显示器基板基本上相同，不同在于图13和14中未出现接触孔CH而出现了第三绝缘层2150和粘合剂图案AE。因此，相同的附图标记将用于指示与前述示例性实施方式中描述的那些相同或相似的部件，并省略或简化其任何重复性的细节描述。[0103]参见图13和14,显示器基板的示例性实施方式包括基底基板2110、包括栅极线GL和栅极GE的栅极金属图案、包括数据线DL的数据金属图案、源极SE和漏极DE、第一绝缘层2120、有源图案AP、第二绝缘层2130、有机层2140、共用电极CE、第三绝缘层2150、像素电极PE和柱形分隔物CS。[0104]粘合剂图案AE设置在第三绝缘层2150上。在这样的实施方式中，接触孔没有限定在第三绝缘层2150中。粘合剂图案AE可包括与共用电极CE基本上相同的材料。粘合剂图案AE可包括透明导电材料，如ITO和ΙΖ0。在示例性实施方式中，粘合剂图案AE可包括钛Ti和或钼钛MoTi。[0105]柱形分隔物CS设置在粘合剂图案AE上。柱形分隔物CS可直接接触粘合剂图案AE。柱形分隔物CS可接触设置在与基底基板2110相对的对基板上的另一柱形分隔物未示出）。如果未形成柱形分隔物CS，在对基板上的柱形分隔物未示出）会刮擦在基底基板2110上的取向膜，那么显示器基板会具有一些缺陷。[0106]粘合剂图案AE和柱形分隔物CS二者均可包括疏水材料。或者，粘合剂图案AE和柱形分隔物CS二者均可包括亲水材料。因此，粘合剂图案AE和柱形分隔物CS可彼此粘合。[0107]根据示例性实施方式，显示器基板包括设置在粘合剂图案AE上的柱形分隔物CS。因此，其可防止在对基板上形成的柱形分隔物刮擦在基底基板2110上的取向膜。[0108]图15-18是图示说明制造图14的显示器基板的方法的示例性实施方式的截面图。[0109]参见图15,在基底基板2110上提供或形成栅极GE和第一绝缘层2120。[0110]在一个示例性实施方式中，例如，在基底基板2110上提供或形成栅极金属层，将栅极金属层图案化，以形成栅极线GL和栅极GE。玻璃基板、石英基板、硅基板或塑料基板等可被用作基底基板2110。[0111]栅极金属层可包括铜Cu、银Ag、铬Cr、钼Mo、铝Al、钛Ti、锰Mn和或其合金。栅极金属层可具有单层结构或具有包括彼此不同的材料的多个金属层的多层结构。在一个示例性实施方式中，例如，栅极金属层可包括铜层的上部和或下部上的铜层和钦层。[0112]在这样的实施方式中，提供或形成第一绝缘层2120覆盖栅极线GL和栅极GE。第一绝缘层2120可包括硅氮化物或硅氧化物等。第一绝缘层2120可具有单层结构或多层结构。在一个示例性实施方式中，例如，第一绝缘层2120可包括下绝缘层包含硅氮化物和上绝缘层包含硅氧化物）。[0113]参见图16,在其上提供了第一绝缘层2120的基底基板2110上提供或形成有源图案AP、源极SE、漏极DE和第二绝缘层2130。[0114]在第一绝缘层2120上提供或形成有源图案AP。有源图案AP可包括氧化物半导体。在一个示例性实施方式中，例如，氧化物半导体可包括氧化锌（ZnO、ΖΤ0、ΖΙ0、氧化铟InO、氧化钛TiO、IGZ0、IZTO或其组合混合物。在一个示例性实施方式中，例如，氧化物半导体可包括IGZ0。[0115]在有源图案AP上提供或形成数据金属图案。数据金属图案可包括数据线DL、源极SE和漏极DE。数据线DL电连接至源极SE。数据线DL可在源极SE和漏极DE中或直接在与源极SE和漏极DE相同的层上提供或形成。[0116]在源极SE和漏极DE上提供或形成第二绝缘层2130。第二绝缘层2130可包括无机材料。在一个示例性实施方式中，例如，第二绝缘层2130可包括硅氧化物（SiOx或硅氮化物SiNx。在一个示例性实施方式中，例如，第二绝缘层2130可包括硅氧化物SiOx，且可具有约5001的厚度。在示例性实施方式中，第二绝缘层2130可具有包含彼此不同的材料的多层结构。[0117]参见图17,在其上形成了第二绝缘层2130的基底基板2110上提供或形成有机层2140和共用电极CE。[0118]在第二绝缘层2130上提供或形成有机层2140。有机层2140使显示器基板的上表面平坦化，如此可防止由于如信号线断开的步骤引起的问题。有机层2140可为包含有机材料的绝缘层。[0119]在有机层2140上提供或形成共用电极CE。共用电极CE可包括透明导电材料，如ITO和ΙΖ0。在示例性实施方式中，共用电极CE可包括钛Ti和或钼钛MoTi。将共用电压施加至共用电极CE。[0120]参见图18,在其上提供了共用电极CE的基底基板2110上提供或形成第三绝缘层2150。然后，在第三绝缘层2150上提供或形成粘合剂图案AE。[0121]在共用电极CE上提供或形成第三绝缘层2150。第三绝缘层2150可包括无机材料如硅氧化物SiOx和或硅氮化物SiNx。在一个示例性实施方式中，例如，第三绝缘层2150包括硅氧化物（SiOx，且可具有大于或等于约1.8μπι且小于或等于约2.2μπι的厚度。在示例性实施方式中，第三绝缘层2150可包括含有彼此不同的材料的多个层。[0122]在第三绝缘层2150上提供或形成粘合剂图案ΑΕ。粘合剂图案AE可包括与共用电极CE基本上相同的材料。粘合剂图案AE可包含透明导电材料，如ITO和IZO。在示例性实施方式中，粘合剂图案AE可包括钛Ti和或钼钛MoTi。[0123]参见图14,在其上提供了粘合剂图案AE的基底基板2110上提供或形成柱形分隔物CS0[0124]在粘合剂图案AE上提供或形成柱形分隔物CS。柱形分隔物CS可直接接触粘合剂图案AE。[0125]根据本发明的示例性实施方式，显示器基板包括形成在接触孔上并直接接触共用电极的柱形分隔物。因此，其可防止在对基板上的柱形分隔物刮擦在基底基板上的取向膜。[0126]在示例性实施方式中，显示器基板包括在粘合剂图案上的柱形分隔物。因此，其可防止在对基板上的柱形分隔物刮擦在基底基板上的取向膜。[0127]前述是本发明的说明，而不解释为本发明的限制。尽管已经描述了本发明的几个示例性实施方式，但是本领域技术人员将容易理解，在没有实质上背离本发明的新颖的教导和优势的情况下，可以在示例性实施方式中做出许多改变。因此，所有这些改变意图被包括在如权利要求书中所限定的本发明的范围中。在这些权利要求中，手段加功能的句子意图覆盖本文如进行所述功能描述的结构，并且不仅覆盖结构等同物，而且覆盖等同物的结构。因此，将理解，前述说明是本发明的说明，而不解释为限于所公开的具体示例性实施方式，对所公开的示例性实施方式的那些改进以及其他示例性实施方式意图包括在所附权利要求书的范围内。本发明由权利要求限定，权利要求的等效方式也包括在其中。

权利要求：1.一种显示器基板，包括：基底基板；设置在所述基底基板上的开关元件，其中所述开关元件包括栅极、源极和漏极；设置在所述开关元件上的第一层；设置在所述第一层上的第一电极；设置在所述第一电极上的绝缘层，其中在所述绝缘层中限定接触孔以暴露一部分所述第一电极；以及设置在所述绝缘层中的接触孔上的分隔物。2.如权利要求1所述的显示器基板，其中所述分隔物直接接触所述第一电极的暴露部分。3.如权利要求2所述的显示器基板，其中所述绝缘层的厚度大于或等于1.8微米且小于或等于2.2微米。4.如权利要求1所述的显示器基板，进一步包括：设置在所述绝缘层上的第二电极以覆盖所述接触孔。5.如权利要求4所述的显示器基板，其中所述分隔物直接接触所述第二电极。6.如权利要求4所述的显示器基板，其中所述第二电极包括与所述第一电极基本上相同的材料。7.—种显示器基板，包括：基底基板；设置在所述基底基板上的开关元件，其中所述开关元件包括栅极、源极和漏极；设置在所述开关元件上的第一层；设置在所述第一层上的第一电极；设置在所述第一电极上的绝缘层；设置在所述绝缘层上的第二电极；以及设置在所述第二电极上的分隔物，其中所述第二电极和所述分隔物都包括疏水材料，或者所述第二电极和所述分隔物都包括亲水材料。8.如权利要求7所述的显示器基板，其中所述分隔物直接接触所述第二电极。9.如权利要求7所述的显示器基板，其中所述第二电极包括与所述第一电极基本上相同的材料。10.如权利要求7所述的显示器基板，其中，所述绝缘层的厚度大于或等于1.8微米且小于或等于2.2微米。

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