申请/专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所

申请日：2022-07-06

公开（公告）日：2022-09-30

公开（公告）号：CN115132662A

主分类号：H01L21/8238

分类号：H01L21/8238;H01L23/522;H01L27/092

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.25#实质审查的生效;2022.09.30#公开

摘要：本发明公开模拟BiCMOS工艺高应力边缘效应优化集成方法和高线性双多晶电容器，步骤包括：1在N型阱表面的场氧化层上方淀积P1埃米的多晶电容器下极板多晶膜层，并完成N型光刻注入掺杂；2淀积d1埃米的双多晶电容器第一层介质，并采用曝光刻蚀工艺完成双多晶电容器下电极边缘保护膜层的制作；3淀积d2埃米的多晶电容器介质复合膜层，并采用曝光刻蚀工艺完成电容介质层结构制作；高线性双多晶电容器包括衬底、N型埋层、P型埋层、外延层、N型阱、自对准P型阱等。本发明通过在模拟集成电路可集成高线性双多晶电容器高应力边缘效应优化技术方案，显著改善了双多晶电容器的边缘效应。

主权项：1.模拟BiCMOS工艺高应力边缘效应优化集成方法，其特征在于，包括以下步骤：1在所述衬底形成N型埋层，P型埋层，N型外延生长。2在外延层上形成N型阱、P型阱和纵向NPN双极型晶体管集电极N+注入并完成阱推结。3在N型阱中完成纵向NPN双极型晶体管基区P型注入；4淀积氮化硅薄膜，并曝光蚀刻掉有源器件区外的氮化硅膜层，采用热氧工艺生长m埃米的场氧化层；5在N型阱表面的场氧化层上方淀积P1埃米的多晶电容器下极板多晶膜层，并完成N型光刻注入掺杂；6采用湿氧工艺条件生长n埃米热氧化层；7淀积d1埃米的双多晶电容器第一层介质，并采用曝光刻蚀工艺完成双多晶电容器下电极边缘保护膜层的制作；8淀积d2埃米的多晶电容器介质复合膜层，并采用曝光刻蚀工艺完成电容介质层结构制作；9完成模拟CMOS集成电路栅多晶淀积前的常规工艺；10淀积P2埃米的MOS晶体管栅多晶膜层，并完成MOS晶体管栅多晶掺杂；11完成模拟CMOS集成电路后续常规工艺。

全文数据：

权利要求：

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