申请/专利权人：南方电网数字电网研究院有限公司

申请日：2021-09-30

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN113741615B

主分类号：G05F1/567

分类号：G05F1/567

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.25#授权;2021.12.21#实质审查的生效;2021.12.03#公开

摘要：本申请涉及一种电压基准电路，包括纳安级偏置电路、基准产生电路和启动电路。所述纳安级偏置电路由多个场效应管组成，用于提供纳安级偏置电流。所述基准产生电路与所述纳安级偏置电路连接，用于产生负温度系数电压和正温度系数电压。所述负温度系数电压与所述正温度系数电压之和为基准电压。所述启动电路的输出端与所述纳安级偏置电路连接，用于使所述纳安级偏置电路达到目标工作电流。所述纳安级偏置电路中未使用电阻和运算放大器，利用所述场效应管来产生所述偏置电流。因此，所述电压基准电路具有超低功耗、面积小的特点。

主权项：1.一种电压基准电路，其特征在于，包括：纳安级偏置电路（100），由多个场效应管组成，用于提供纳安级偏置电流；基准产生电路（200），与所述纳安级偏置电路（100）连接，用于产生负温度系数电压和正温度系数电压，所述负温度系数电压与所述正温度系数电压之和为基准电压；启动电路（300），其输出端与所述纳安级偏置电路（100）连接，用于辅助所述纳安级偏置电路（100）达到目标工作电流；所述纳安级偏置电路（100）包括：由PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P4、PMOS管P5、PMOS管P6、PMOS管P7、PMOS管P8和NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5、NMOS管N6组成的电流镜以及PMOS管PA；所述PMOS管P1的栅极分别与所述PMOS管P1的漏极、所述PMOS管P2的栅极和所述PMOS管P4的源极连接，所述PMOS管P1的源极分别与所述PMOS管PA的源极和所述PMOS管P6的源极连接，所述PMOS管P1的源极、所述PMOS管PA的源极和所述PMOS管P6的源极均分别用于与电源连接，所述PMOS管P2的源极与所述PMOS管PA的漏极连接，所述PMOS管P2的漏极与所述PMOS管P5的源极连接；所述NMOS管N1的漏极分别与所述PMOS管P4的栅极、所述PMOS管P4的漏极和所述PMOS管P5的栅极连接，所述NMOS管N1的源极与所述NMOS管N2的漏极连接，所述NMOS管N3的源极分别与所述NMOS管N2的栅极、所述NMOS管N4的漏极、所述NMOS管N4的栅极和所述NMOS管N6的栅极连接，所述PMOS管P5的漏极分别与所述NMOS管N1的栅极、所述NMOS管N3的漏极、所述NMOS管N3的栅极、所述NMOS管N5的栅极连接；所述NMOS管N2的源极分别与所述NMOS管N4的源极和所述NMOS管N6的源极连接，所述NMOS管N2的源极、所述NMOS管N4的源极和所述NMOS管N6的源极均分别用于接地；所述PMOS管P6的栅极和所述PMOS管P6的漏极均分别与所述PMOS管P7的源极连接，所述PA的栅极分别与所述PMOS管P7的栅极、所述PMOS管P7的漏极、所述PMOS管P8的栅极、所述PMOS管P8漏极、所述PMOS管P8的源极和所述NMOS管N5的漏极连接，所述NMOS管N5的源极与所述NMOS管N6的漏极连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南方电网数字电网研究院有限公司 电压基准电路

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD