申请/专利权人：松下知识产权经营株式会社

申请日：2021-04-15

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN115398626A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146;H04N5/357;H04N5/369;H01L31/10

优先权：["20200427 JP 2020-078446"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.07#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：摄像装置具备多个像素。多个像素分别包括：第1电极；第2电极；光电变换层，位于第1电极与第2电极之间，含有供体性半导体材料及受体性半导体材料，生成电子和空穴的对；第1电荷阻挡层，位于第1电极与光电变换层之间；第2电荷阻挡层，位于第2电极与光电变换层之间；以及电荷积蓄区域，与第2电极电连接，积蓄空穴。受体性半导体材料的电子亲和力与第1电荷阻挡层的电子亲和力之差比供体性半导体材料的电离势与第2电荷阻挡层的电离势之差大。

主权项：1.一种摄像装置，其中，具备多个像素，上述多个像素分别包括：第1电极；第2电极；光电变换层，位于上述第1电极与上述第2电极之间，含有供体性半导体材料及受体性半导体材料，生成电子和空穴的对；第1电荷阻挡层，位于上述第1电极与上述光电变换层之间；第2电荷阻挡层，位于上述第2电极与上述光电变换层之间；以及电荷积蓄区域，与上述第2电极电连接，积蓄上述空穴作为信号电荷，上述第2电荷阻挡层的电离势是上述供体性半导体材料的电离势以上，上述第1电荷阻挡层的电子亲和力比上述受体性半导体材料的电子亲和力小，上述受体性半导体材料的上述电子亲和力与上述第1电荷阻挡层的上述电子亲和力之差比上述供体性半导体材料的上述电离势与上述第2电荷阻挡层的上述电离势之差大。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 松下知识产权经营株式会社 摄像装置

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