申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-05-26

公开（公告）日：2022-11-29

公开（公告）号：CN115411039A

主分类号：H01L27/108

分类号：H01L27/108;H01L21/8242

优先权：["20210527 KR 10-2021-0068170","20210825 KR 10-2021-0112645"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2022.11.29#公开

摘要：一种半导体存储器件，包括：器件隔离图案，在衬底上并限定第一有源部分；在第一有源部分上的第一存储节点焊盘；在衬底中并延伸跨过第一有源部分的字线；在第一存储节点焊盘上并跨越字线的位线；在位线的一侧上并与第一存储节点焊盘相邻的存储节点接触；以及在存储节点接触和第一存储节点焊盘之间的欧姆接触层。欧姆接触层的底表面被圆化。

主权项：1.一种半导体存储器件，包括：器件隔离图案，在衬底上并且限定第一有源部分；第一存储节点焊盘，在所述第一有源部分上；字线，在所述衬底中并延伸跨过所述第一有源部分；位线，在所述第一存储节点焊盘上并跨越所述字线；存储节点接触，在所述位线的一侧并与所述第一存储节点焊盘相邻；以及欧姆接触层，在所述存储节点接触和所述第一存储节点焊盘之间，其中所述欧姆接触层的底表面被圆化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体存储器件

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