申请/专利权人：武汉大学

申请日：2022-08-12

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115425108A

主分类号：H01L31/113

分类号：H01L31/113;H01L31/18;H01L51/42;H01L51/48

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本申请涉及一种晶体管型光电探测器及其制备方法，包括依次层叠设置的栅电极、栅绝缘层、传输沟道层、电子传输层、光吸收层和源漏电极；所述传输沟道层包括锡锌氧化物；所述光吸收层为银锑硫薄膜。本申请晶体管型光电探测器以锡锌氧化物作传输沟道，银锑硫薄膜作光吸收层，锡锌氧化物的高载流子迁移率与银锑硫薄膜的高吸光能力和可调控的吸光范围有效地结合，结合了场效应晶体管可栅压调控、高增益、易于集成的特点以及银锑硫薄膜吸收系数大，吸收范围广、吸收带隙易于调控的优点，具有高的光灵敏度、低噪声电流和高的比探测率，可探测光波长范围广、探测性能优异，在光电探测领域具有极大的应用潜力。

主权项：1.一种晶体管型光电探测器，其特征在于，包括依次层叠设置的栅电极1、栅绝缘层2、传输沟道层3、电子传输层4、光吸收层5和源漏电极6；所述传输沟道层3包括锡锌氧化物；所述光吸收层5为银锑硫薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉大学 一种晶体管型光电探测器及其制备方法

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