申请/专利权人：武汉敏芯半导体股份有限公司

申请日：2022-08-18

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115425517A

主分类号：H01S5/12

分类号：H01S5/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本发明公开了一种提高波长分布均匀性的激光器制作方法，该方法包括：在晶圆形成之前，对于同一个波长通道，采用两种或两种以上的光栅周期设计；然后利用该晶圆制作激光器。进一步，根据该波长通道的中心波长和波导等效折射率确定光栅周期，同时该波导等效折射率对应了确定的激光器脊宽。本发明通过在晶圆形成之前，对于同一个波长通道，采用两种或两种以上的光栅周期设计，然后利用该晶圆去制作激光器，可提高每个波长通道分BIN波长产出的均匀性，降低生产复杂度。

主权项：1.一种提高波长分布均匀性的激光器制作方法，其特征在于，该方法包括：在晶圆形成之前，对于同一个波长通道，采用两种或两种以上的光栅周期设计；然后利用该晶圆制作激光器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉敏芯半导体股份有限公司 提高波长分布均匀性的激光器制作方法

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