申请/专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

申请日：2022-08-30

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115425031A

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H01L21/77

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本申请公开一种阵列基板及其制造方法、显示面板，阵列基板通过五次构图工艺制备得到，相较于制造传统阵列基板所需的光罩数目为七个或者八个，制造本申请阵列基板所需的光罩数目减少。

主权项：1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基板；源极和漏极，设置于所述基板的表面上；第一绝缘层，覆盖所述源极、所述漏极和所述基板；有源层，设置于所述第一绝缘层远离源极和漏极的表面上，所述有源层具有源极接触区、漏极接触区以及沟道区，所述沟道区位于所述源极接触区和所述漏极接触区之间；第二绝缘层，设置于所述有源层远离所述第一绝缘层的表面上，且对应所述沟道区设置；栅极，设置于所述第二绝缘层远离所述有源层的表面上，且对应所述沟道区设置；第三绝缘层，覆盖所述第一绝缘层以及所述栅极；第一接触孔和第二接触孔，贯穿所述第三绝缘层，所述第一接触孔对应所述源极接触区设置，所述第二接触孔对应所述漏极接触区设置；第三接触孔以及第四接触孔，贯穿所述第三绝缘层和所述第一绝缘层，所述第三接触孔对应所述源极设置，所述第四接触孔对应所述漏极设置；以及连接电极，包括间隔设置的第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极通过所述第一接触孔与所述源极接触区接触，所述第一连接电极通过所述第三接触孔与所述源极接触，所述第二连接电极通过所述第二接触孔与所述漏极接触区接触，所述第二连接电极通过所述第四接触孔与所述漏极接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板

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