申请/专利权人：开发晶照明(厦门)有限公司

申请日：2020-05-22

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN111613702B

主分类号：H01L33/08

分类号：H01L33/08;H01L33/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.02#授权;2020.09.25#实质审查的生效;2020.09.01#公开

摘要：本发明公开一种发光模组及发光二极管。发光二极管具有一外延发光结构，以产生具有宽波段蓝光光谱的一光束，并可配合波长转换层产生具有白光光谱的一混合光束。宽波段蓝光光谱的波形的半高波宽不小于30nm，并具有多个波峰转折点，且任两个最靠近的波峰转折点所分别对应的两个波长值之间的差值不超过18nm。如此，可以降低操作电流密度变化对发光模组所产生的混合光束的白光光谱的波形的影响，而使混合光束的白光光谱相对于操作电流变化具有较佳的稳定性。

主权项：1.一种发光模组，其特征在于，所述发光模组包括一发光二极管，所述发光二极管具有一外延发光结构，以产生具有宽波段蓝光光谱的一光束，其中，所述宽波段蓝光光谱的波形的半高波宽不小于30nm，并具有多个波峰转折点，且任两个最靠近的所述波峰转折点所分别对应的两个波长值之间的差值不超过18nm；其中，所述外延发光结构包括一发光叠层，所述发光叠层包括交替堆叠的m个阱层以及m+1个势垒层，所述势垒层的厚度与所述阱层的厚度之间的比值范围是2.5至5倍，其中，所述发光模组还包括一波长转换层覆盖所述发光二极管，所述光束通过所述波长转换层而产生具有白光光谱的一混合光束，其中，施加于所述发光二极管的操作电流密度在80mAmm2至200mAmm2的范围所得到的任两个白光光谱，在对应于波长范围450nm至500nm之间的任一波长相对于一标准光源光谱的两个光谱偏离指标之间的差值不超过0.3。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 开发晶照明(厦门)有限公司 发光二极管及发光模组

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