申请/专利权人：苏州至盛半导体科技有限公司

申请日：2022-12-15

公开（公告）日：2023-01-13

公开（公告）号：CN115603549A

主分类号：H02M1/08

分类号：H02M1/08;H03K17/687

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.31#授权;2023.02.07#实质审查的生效;2023.01.13#公开

摘要：本申请涉及电力电子技术领域的一种MOSFET管的自适应分级驱动方法和电路，该方法通过采集MOSFET管的漏源电压；根据采集的开启和完全关断后的稳态电压值、预设固定偏置及预设偏置校准电压，确定检测阈值；将漏源电压叠加预设偏置电压后与检测阈值进行比较，判断MOSFET管所处的开关过渡状态；开关过渡状态包括：米勒平台之前、米勒平台、米勒平台之后；根据开关过渡状态、预设基础驱动电流配置以及预设驱动状态控制信息，得到驱动电流编码；采用DA转换模块将驱动电流编码转换为驱动电流，并将驱动电流输出至MOSFET管栅极。采用本方法可以自适应实际MOSFET管的工况，实现分级驱动，降低开关损耗，提高系统效率。

主权项：1.一种MOSFET管的自适应分级驱动方法，其特征在于，所述方法包括：采集MOSFET管的漏源电压；采集并存储MOSFET管在完全开启和完全关断后的稳态电压值；根据开启和完全关断后的稳态电压值、预设固定偏置以及预设偏置校准电压，确定检测阈值；将所述漏源电压叠加预设偏置电压后与检测阈值进行比较，判断MOSFET管所处的开关过渡状态；所述开关过渡状态包括：米勒平台之前、米勒平台、米勒平台之后；根据开关过渡状态、预设的基础驱动电流配置以及预设驱动状态控制信息，得到驱动电流编码；采用DA转换模块将所述驱动电流编码转换为驱动电流，并将所述驱动电流输出至所述MOSFET管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州至盛半导体科技有限公司 MOSFET管的自适应分级驱动方法和电路

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