申请/专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司

申请日：2022-12-16

公开（公告）日：2023-01-13

公开（公告）号：CN115602769A

主分类号：H01L33/10

分类号：H01L33/10;H01L33/06;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.24#授权;2023.02.07#实质审查的生效;2023.01.13#公开

摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种具有滤光结构的反极性红外LED外延片及其制备方法，该LED外延片从N型GaAs衬底开始由下往上依次生长N型GaAs缓冲层、腐蚀截止层、N型欧姆接触层、N型电极保护层、N型电流扩展层、N面滤光层、N型DBR反射层、N型限制层、N面波导层、多量子阱有源层、P面波导层、P型限制层、P型DBR反射层、P面滤光层、P型电流扩展层、P型窗口层。本发明通过在常规940nm反极性红外LED双侧的电流扩展层和限制层之间引入DBR反射层和滤光层结构，有效避免可见光的溢出，同时提高LED器件的发光效率，可应用于无红曝的安防监控摄像头等领域。

主权项：1.一种具有滤光结构的反极性红外LED外延片，其特征在于，所述LED外延片从N型GaAs衬底开始生长外延层，由下往上依次生长N型GaAs缓冲层、腐蚀截止层、N型欧姆接触层、N型电极保护层、N型电流扩展层、N型限制层、N面波导层、多量子阱有源层、P面波导层、P型限制层、P型电流扩展层、P型窗口层；在所述N型电流扩展层和N型限制层之间依次插入N面滤光层和N型DBR反射层，在所述P型限制层和P型电流扩展层之间依次插入P型DBR反射层和P面滤光层；所述N型DBR反射层和P型DBR反射层的材料均为AlAsGaAs交替生长的周期性结构，循环对数均为10对-15对，每个循环周期中AlAs的厚度为50nm-60nm，GaAs的厚度为45nm-50nm；所述N面滤光层和P面滤光层的材料均为GaAs，其中N面GaAs滤光层的厚度为2500nm-3500nm，P面GaAs滤光层的厚度为1500nm-2000nm。

全文数据：

权利要求：

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