申请/专利权人：湖北九峰山实验室

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894831A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L21/335

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明提供一种氮极性氮化物高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该晶体管由下至上依次包括衬底、成核层、半绝缘层、缓冲层、掺杂层和脊型台面结构，及源电极、漏电极和栅电极；脊型台面结构由下至上包括背势垒层和沟道层。在脊型台面结构的一侧，源电极从沟道层的上表面沿脊型台面结构的侧壁延伸至掺杂层的上表面上；在脊型台面结构的另一侧，漏电极从沟道层的上表面沿脊型台面结构的侧壁延伸至掺杂层的上表面上。栅电极位于源电极和漏电极之间。从衬底到沟道层的方向为氮极性晶向。该器件结构能抑制背势垒类施主态陷阱电荷造成的电流崩塌现象，提高背势垒对沟道电子的限制作用和减小导通电阻，从而提高器件性能和可靠性。

主权项：1.一种氮极性氮化物高电子迁移率晶体管，其特征在于，由下至上依次包括衬底、成核层、半绝缘层、缓冲层、掺杂层、脊型台面结构，以及源电极、漏电极和栅电极；所述脊型台面结构由下至上包括背势垒层和沟道层，所述背势垒层的底面为所述脊型台面结构的底面，所述沟道层的上表面为所述脊型台面结构的上表面；所述沟道层与所述背势垒层的界面处存在二维电子气；在所述脊型台面结构的一侧，所述源电极从所述沟道层的上表面沿着所述脊型台面结构的侧壁延伸至所述掺杂层的上表面上；在所述脊型台面结构的另一侧，所述漏电极从所述沟道层的上表面沿着所述脊型台面结构的侧壁延伸至所述掺杂层的上表面上；所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间的所述沟道层上；所述半绝缘层、所述缓冲层、所述掺杂层、所述背势垒层和所述沟道层的材料均为IIIA族元素的氮化物半导体材料；所述掺杂层的掺杂类型为n型；从所述衬底到所述沟道层的方向为氮极性晶向。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北九峰山实验室 一种氮极性氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD