申请/专利权人：日月光半导体制造股份有限公司

申请日：2022-08-23

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN218385182U

主分类号：H01L23/31

分类号：H01L23/31;H01L23/488

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.24#授权

摘要：本申请提供了一种电子结构，包括：衬底；封装结构，位于所述衬底下方，其中，所述封装结构包括：封装层，所述封装层的靠近所述衬底的第一表面包括暴露所述封装结构的焊盘的至少一个开口，其中，所述封装层的所述第一表面包括至少一个第一区以及围绕所述至少一个第一区的第二区，所述第一区比所述第二区更靠近所述开口，在竖直方向上，所述第一区与所述衬底之间的第一间隙大于所述第二区与所述衬底之间的第二间隙，所述第一区的第一宽度大于所述焊盘的第二宽度。上述电子结构可以扩大衬底与封装层之间的间隙。

主权项：1.一种电子结构，其特征在于，包括：衬底；封装结构，位于所述衬底下方，其中，所述封装结构包括：封装层，所述封装层的靠近所述衬底的第一表面包括暴露所述封装结构的焊盘的至少一个开口，其中，所述封装层的所述第一表面包括至少一个第一区以及围绕所述至少一个第一区的第二区，所述第一区比所述第二区更靠近所述开口，在竖直方向上，所述第一区与所述衬底之间的第一间隙大于所述第二区与所述衬底之间的第二间隙，所述第一区的第一宽度大于所述焊盘的第二宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 日月光半导体制造股份有限公司 电子结构

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