申请/专利权人：学校法人关西学院;丰田通商株式会社

申请日：2020-08-05

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN114375351B

主分类号：H01L21/324

分类号：H01L21/324;C30B29/36;C30B33/02;C30B25/20;H01L21/205

优先权：["20190806 JP 2019-144544"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.07.15#实质审查的生效;2022.04.19#公开

摘要：本发明所要解决的技术问题是提供一种能够实现高品质的SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭的新颖技术。本发明是一种SiC衬底11的制造方法，其具有对SiC原衬底10进行热处理的热处理步骤S1，热处理步骤S1包括下述a、b、c步骤中的两个以上的步骤：a去除SiC原衬底10的应变层101的应变层去除步骤S11；b去除SiC原衬底10上的宏观台阶聚束MSB的聚束去除步骤S12；c在SiC原衬底10上形成减少了基底面位错BPD的生长层105的基底面位错减少步骤S13。

主权项：1.一种SiC衬底的制造方法，其具有对SiC原衬底进行热处理的热处理步骤，所述热处理步骤包括下述步骤：可选的a去除所述SiC原衬底的应变层的应变层去除步骤；b去除所述SiC原衬底上的宏观台阶聚束的聚束去除步骤；以及c在所述SiC原衬底上形成减少了基底面位错的生长层的基底面位错减少步骤，其中，所述热处理步骤在所述步骤b之后包括步骤c，或者在步骤c之后包括步骤b，所述步骤b是在由SiC材料构成的主体容器内的准封闭空间中，将所述SiC原衬底与所述主体容器或其他SiC材料相对配置，并且在所述主体容器内配置Si蒸气供给源，以所述SiC原衬底为低温侧、所述主体容器或其他SiC材料为高温侧的方式进行加热，从而在SiC-Si平衡蒸气压环境下使所述SiC原衬底生长的步骤，或者所述步骤b是在由SiC材料构成的主体容器内的准封闭空间中，将所述SiC原衬底与所述主体容器或其他SiC材料相对配置，并且在所述主体容器内配置Si蒸气供给源，以所述SiC原衬底为高温侧、所述主体容器或其他SiC材料为低温侧的方式进行加热，从而在SiC-Si平衡蒸气压环境下对所述SiC原衬底进行蚀刻的步骤，所述步骤c是在由SiC材料构成的主体容器内的准封闭空间中，将所述SiC原衬底与所述主体容器或其他SiC材料相对配置，以所述SiC原衬底为低温侧、所述主体容器或其他SiC材料为高温侧的方式进行加热，从而在SiC-C平衡蒸气压环境下使所述SiC原衬底生长的步骤。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 学校法人关西学院;丰田通商株式会社 SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭及它们的制造方法

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