申请/专利权人：清华大学

申请日：2022-11-01

公开（公告）日：2023-02-03

公开（公告）号：CN115404552B

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.02.03#授权;2022.12.16#实质审查的生效;2022.11.29#公开

摘要：本发明涉及微细加工技术领域，尤其涉及一种极低气压反应腔下的侧壁钝化侧蚀动态平衡深刻蚀光子晶体结构制备方法。具体的，在刻蚀过程中，保持hhA趋近于1，并在0.05~0.1Pa的压力下进行刻蚀；其中，h代表反应物析出速度和沉积速度的比值，hA代表刻蚀孔开口处的反应物析出速度和沉积速度的比值。上述干法刻蚀方法能够克服Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料干法刻蚀产物饱和蒸气压低、难以挥发的问题，实现了高深宽的Ⅲ‑Ⅴ族半导体有源光子晶体刻蚀效果，同时兼顾实现了圆孔及狭缝等不同结构垂直侧壁刻蚀技术。此外，所述干法刻蚀方法刻蚀表面粗糙度低，刻蚀小孔槽均匀。

主权项：1.一种Ⅲ-Ⅴ族半导体有源光子晶体结构的干法刻蚀方法，其特征在于，在刻蚀过程中，保持hhA趋近于1，并在0.05~0.1Pa的压力下进行刻蚀；其中，h代表反应物析出速度和沉积速度的比值，hA代表刻蚀孔开口处的反应物析出速度和沉积速度的比值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学 一种极低气压反应腔下的侧壁钝化侧蚀动态平衡深刻蚀光子晶体结构制备方法

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