申请/专利权人：深圳瑞沃微半导体科技有限公司

申请日：2022-12-15

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115799435A

主分类号：H01L33/52

分类号：H01L33/52;H01L33/36;H01L33/58;H01L33/00;H01L33/60;H01L25/075;B33Y10/00;B33Y80/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本申请提供了一种高反射LED灯珠的封装方法及高反射LED灯珠，相对于现有技术中的“发光效率损失较大，LED的利用率大幅降低”，本申请提供了“所述预制灯珠底部形成透明区域”的解决方案，具体为：对高电极LED芯片进行灌胶封装，形成预制灯珠；其中，所述高电极LED芯片至少设置一个；所述预制灯珠底部形成透明区域；通过增材制造方式将所述高电极LED芯片的电极沿预设轨迹进行生长，得到高反射LED灯珠。通过预制灯珠底部形成透明区域，实现了提高LED芯片出光效率20％到30％，并且达到了无需支架、无需注塑成型，适合批量生产，效率高，成本低的技术效果。

主权项：1.一种高反射LED灯珠的封装方法，用于将高电极LED芯片制造成高反射LED灯珠，其特征在于，所述高反射LED灯珠的封装方法包括：对高电极LED芯片进行灌胶封装，形成预制灯珠；其中，所述高电极LED芯片至少设置一个；所述预制灯珠底部形成透明区域；通过增材制造方式将所述高电极LED芯片的电极沿预设轨迹进行生长，得到高反射LED灯珠。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳瑞沃微半导体科技有限公司 一种高反射LED灯珠的封装方法及高反射LED灯珠

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