申请/专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司

申请日：2017-01-23

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115802869A

主分类号：H10N52/00

分类号：H10N52/00;H10N59/00

优先权：["20160122 US 15/003,856"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本申请公开了集成磁通门装置。一种集成电路，具有衬底、具有在所述衬底上产生的有源区的晶体管的电路、芯结构、第一封装层、第二封装层和氧化物层。芯结构形成在上述电路上方。第一封装层覆盖芯结构，并且具有第一热膨胀系数。第二封装层覆盖芯结构上面的第一封装层，并且具有与第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数。氧化物层形成在第二封装层上方。氧化物层包括足以减轻第一封装层和第二封装层之间热应力的氧化物厚度。

主权项：1.一种集成电路，其包括：衬底101；电路，所述电路具有晶体管并且具有金属层108，所述晶体管具有在所述衬底上产生的有源区，所述金属层在所述有源区上方形成以提供所述晶体管的互连；芯结构，所述芯结构形成在所述金属层上方；第一封装层136，所述第一封装层封装所述芯结构并且具有第一热膨胀系数；第二封装层138，所述第二封装层封装所述芯结构之上的所述第一封装层并且具有封装厚度和与所述第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数；以及氧化物层142，所述氧化物层形成在所述第二封装层上方，所述氧化物层的所述氧化物厚度大于所述封装厚度的85％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 德克萨斯仪器股份有限公司 集成磁通门装置

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