申请/专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

申请日：2019-11-08

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN112786755B

主分类号：H01L33/38

分类号：H01L33/38;H01L33/24;H01L33/42

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.17#授权;2021.05.28#实质审查的生效;2021.05.11#公开

摘要：一种发光二极管，包括：一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极，所述第一半导体层具有相对的第一表面及第二表面，所述第一电极设置在所述第一半导体层的第一表面，并与该第一表面直接接触，所述第一半导体层的第二表面与所述活性层接触设置，所述第二半导体层具有相对的第三表面及第四表面，所述第二电极设置在所述第二半导体层的第三表面，并与该第三表面直接接触，所述第二半导体层的第四表面与所述活性层接触设置，所述第一电极为一单根的第一碳纳米管，所述第二电极为一单根的第二碳纳米管，且第一碳纳米管的延伸方向与所述第二碳纳米管的延伸方向交叉设置。

主权项：1.一种发光二极管，包括：一第一半导体层，所述第一半导体层具有相对的第一表面及第二表面；一第二半导体层，所述第二半导体层具有相对的第三表面及第四表面；一活性层，该活性层位于所述第一半导体层和第二半导体层之间，且所述活性层与所述第二表面和第四表面直接接触设置；一第一电极，所述第一电极设置在所述第一半导体层的第一表面，并与该第一表面直接接触；以及一第二电极，所述第二电极设置在所述第二半导体层的第三表面，并与该第三表面直接接触，其特征在于，所述第一电极为一单根的第一碳纳米管，该单根的第一碳纳米管与该第一表面直接接触，所述第二电极为一单根的第二碳纳米管，该单根的第二碳纳米管与该第三表面直接接触，且第一碳纳米管的延伸方向与所述第二碳纳米管的延伸方向交叉设置，在所述第一碳纳米管以及第二碳纳米管的交叉点处，在垂直于所述第一半导体层的方向上，所述第一碳纳米管、第一半导体层、活性层、第二半导体层以及第二碳纳米管的重叠区域形成一多层结构，所述第一碳纳米管和第二碳纳米管均为内壳碳纳米管，该内壳碳纳米管是指双壁碳纳米管或多壁碳纳米管剥去外壳后形成的单壁碳纳米管，该内壳碳纳米管的制备方法是：在长度在150微米以上的双壁碳纳米管或多壁碳纳米管的两端拉伸该双壁碳纳米管或多壁碳纳米管，使双壁碳纳米管或多壁碳纳米管的外壁在中间部位断裂，使该双壁碳纳米管或多壁碳纳米管的中间部分仅剩下最内层的碳纳米管，进而得到一段最内层的碳纳米管，该段最内层的碳纳米管为所述内壳碳纳米管。

全文数据：

权利要求：

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