申请/专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司

申请日：2021-05-31

公开（公告）日：2023-04-07

公开（公告）号：CN113463068B

主分类号：C23C16/44

分类号：C23C16/44

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.04.07#授权;2021.10.26#实质审查的生效;2021.10.01#公开

摘要：本发明公开了半导体成膜APCVD机台工艺腔体干湿结合的保养方法，主要是在普通氮气加氢氟酸腐蚀干法吹扫的基础上在前期加入了独特的湿法工艺，使得氢氟酸在湿法过程中能腐蚀70％的沉积在工艺腔体内的SiO2粉的残余量，再结合原有的干法腐蚀；这样就能使得沉积在工艺腔体内的SiO2粉被清除得更为彻底；这种干湿结合的保养方法是该机器的保养首创，并通过反复的实验，成果显著。

主权项：1.半导体成膜APCVD机台工艺腔体干湿结合的保养方法，其特征在于：具体步骤如下：步骤一、准备保养器件，所述保养器件包括干法腐蚀用的专用喷嘴；步骤二、湿法腐蚀：在机台工艺腔体内的地板上平铺无尘布，然后按照每平米140-180毫升的用量泼入氢氟酸，使得无尘布均匀含有一定量的氢氟酸，之后盖上腐蚀用的专用喷嘴，进行氢氟酸湿法腐蚀，湿法腐蚀时间至少静置5个小时；步骤三、湿法腐蚀完毕后拆掉腐蚀用的专用喷嘴，然后将工艺腔体稍作清理，再拿掉无尘布后，在机台工艺腔体底层的净化层金属地板上按照每平米140-180毫升的用量沾上少量的纯净水，再盖上腐蚀用的专用喷嘴使用机台专用干法腐蚀清扫金属履带的管路进行干法吹扫腐蚀；步骤四、干法吹扫腐蚀至少15个小时后，关掉干法吹扫，拆掉专用喷嘴，开始对工艺腔体进行保养；步骤四中对工艺腔体进行保养具体步骤如下：步骤1、用粗砂皮打磨工艺腔体的净化层金属地板，将净化层金属地板上的剩余结晶物打磨成粉状；步骤2、用真空吸尘器或者真空扫除清理粉状残余物；步骤3、用带有0.8毫米的高强度小钻头的直流钻孔器对净化层金属地板上的工艺氮气孔洞进行通孔；步骤4、用无尘布蘸上工业酒精对净化层金属地板和工艺腔体周边进行彻底的精细清扫；采用干湿结合的保养方法保养后的机台工艺腔体内的地板粗糙度达到8.41以下。

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