申请/专利权人：华南师范大学

申请日：2023-03-07

公开（公告）日：2023-04-28

公开（公告）号：CN116031293A

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L29/51;H01L29/06;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.05.16#实质审查的生效;2023.04.28#公开

摘要：本发明涉及一种具有高介电常数栅介质叠层的槽栅增强型MISHEMT器件及其制备方法，包括外延叠层和位于外延叠层上的高介电常数栅介质层、源极和漏极，外延叠层包括依次层叠的缓冲层、GaN通道层、AlN空间层、AlGaN势垒层和GaN帽层，栅极凹槽沿GaN帽层的表面延伸至AlGaN势垒层中一定深度；栅介质层包括依次层叠的AlON介质层、HfAlON介质层和HfTaO介质层，HfTaO介质层中，Ta组分为40％～45％。该器件结构实现了更高水平的界面层，减小了栅极漏电和亚阈值摆幅，增大了栅压摆幅，保证高k材料的非晶相，减少高k材料结晶所引起的器件电学特性的恶化。

主权项：1.一种具有高介电常数栅介质叠层的槽栅增强型MISHEMT器件，包括，衬底，位于衬底上的外延叠层，位于外延叠层上的高介电常数栅介质层、源极和漏极，位于栅介质层上的凹槽栅极，其特征在于，所述外延叠层包括依次层叠的缓冲层、GaN通道层、AlN空间层、AlGaN势垒层和GaN帽层，所述外延叠层包括一栅极凹槽，所述栅极凹槽沿所述GaN帽层的表面延伸至所述AlGaN势垒层中一定深度，所述高介电常数栅介质层沿所述GaN帽层的表面延伸至所述凹槽中；所述高介电常数栅介质层包括依次层叠的AlON栅介质层、HfAlON栅介质层和HfTaO栅介质层，所述AlON栅介质层设置于所述GaN帽层以及所述AlGaN势垒层的表面，其中所述HfTaO栅介质层中，Ta的组分为40％～45％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南师范大学 一种具有高介电常数栅介质叠层的槽栅增强型MISHEMT器件及其制备方法

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