申请/专利权人：杭州市农业科学研究院

申请日：2021-07-25

公开（公告）日：2023-04-28

公开（公告）号：CN113475396B

主分类号：A01H4/00

分类号：A01H4/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.04.28#授权;2021.10.26#实质审查的生效;2021.10.08#公开

摘要：本发明公开了一种春剑×大花蕙兰的杂交兰高效成苗方法，包括以下步骤：从杂交兰上选取长势健壮的新生芽，经处理，获得灭菌处理后的小侧芽以及灭菌处理后的茎尖；将灭菌处理后的茎尖在原球茎诱导培养基上诱导培养，将灭菌处理后的小侧芽，先接种于生长培养基中进行复绿长大培养，再接种于原球茎诱导培养基上诱导培养；将所得的原球茎分割后，接种于继代增殖分化培养基进行培养；将培养所得的不定芽切下作为幼芽接种于生根壮苗培养基培养，获得可移栽的幼苗。本发明提供的杂交兰组织培养高效成苗方法，适用于以春剑和大花蕙兰为亲本形成的杂交兰品种进行组培快繁，克服了传统分株繁殖进程缓慢的问题。

主权项：1.春剑×大花蕙兰的杂交兰高效成苗方法，其特征是包括以下步骤：1、外植体的选择和除菌：从杂交兰上选取长势健壮的新生芽，新生芽经清洗、消毒、剥离，获得作为外植体的小侧芽和茎尖，所述小侧芽和茎尖分别经过消毒、清洗，对应获得灭菌处理后的小侧芽以及灭菌处理后的茎尖；具体如下：从杂交兰上选取长势健壮的新生芽，新生芽去除表面杂质和污物后，浸泡于浓度为10％～15％WV的洗衣粉水中清洗，再流水冲洗，然后置于超净工作台上灭菌处理；所述灭菌处理为：将新生芽浸入75％酒精1～1.5分钟，取出后无菌水清洗；剥去1～2片外苞叶，浸入10％VV次氯酸钠消毒10～15分钟，无菌水清洗；浸入升汞消毒液中消毒12～18分钟，无菌水清洗；层层剥离叶片，剥取每层的小侧芽以及露出叶基部生长点的茎尖作为外植体，用0.05％WV升汞浸泡10～20秒，无菌水清洗，从而分别得灭菌处理后的小侧芽以及灭菌处理后的茎尖；所述升汞消毒液为：每500ml0.1％WV升汞，使用前加入50μl吐温-80；2、原球茎诱导：将灭菌处理后的茎尖在原球茎诱导培养基上诱导培养，直至在茎尖生长点的位置长出直径≥0.5cm的原球茎；诱导培养条件为：每日光照8～10小时，光照培养温度25±1℃，光照强度800±100lux；暗培养温度为20±1℃；将灭菌处理后的小侧芽，先接种于生长培养基中进行复绿长大培养1.5～2个月，然后剥离茎尖，无菌水清洗后接种于原球茎诱导培养基上诱导培养，直至在茎尖生长点的位置长出直径≥0.5cm的原球茎；诱导培养条件同上；原球茎诱导培养基为：12MS+0.5mgLNAA+1.0mgL6-BA+30gL蔗糖+5gL琼脂+1gL活性炭，pH5.6～5.8；生长培养基为：MS+1.0mgLIBA+0.5mgL6-BA+50gL香蕉泥+30gL蔗糖+6gL琼脂+0.8gL活性炭，pH5.6～5.8；3、原球茎增殖和不定芽分化将原球茎分割后，接种于继代增殖分化培养基进行培养，分成以下两种情形：情形1、需要继代培养：按照增殖培养条件增殖培养50～60天，进行一次继代；情形2、无需继代培养：先按照增殖培养条件增殖培养50～60天，然后直接改成分化培养条件进行分化培养，直至获得3～5cm的不定芽；增殖培养条件为：每日光照8～10小时，光照培养温度26±1℃，光照强度500～1000lux；暗培养时培养温度20±1℃，分化培养条件为：每日光照10～14小时，光照培养温度26±1℃，光照强度1000～1500lux；暗培养时培养温度20±1℃；继代增殖分化培养基为：Hyponex1+0.5mgL6-BA+0.5mgLNAA+10％椰汁+30gL蔗糖+6gL琼脂+2gL水解酪蛋白+0.5gL活性炭，pH5.6～5.8；4、壮苗和生根将步骤3所得的3～5cm不定芽切下作为幼芽接种于生根壮苗培养基培养，直至获得长度≥3cm的根的数量为至少3根，且苗高≥8cm；获得可移栽的幼苗；培养条件为：每日光照12～14小时，光培养温度26±1℃，光照强度1500～2000lux；暗培养温度为20±1℃；壮苗生根培养基成分为：MS+100gL香蕉泥+30gL蔗糖+2gL水解酪蛋白+7gL琼脂+1gL活性炭，pH5.6～5.8。

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百度查询： 杭州市农业科学研究院 春剑×大花蕙兰的杂交兰高效成苗方法

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