申请/专利权人：浙江芯科半导体有限公司

申请日：2023-02-01

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116145259A

主分类号：C30B29/36

分类号：C30B29/36;C30B25/12;C30B23/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本申请公开了用于提升SIC外延片质量的卫星盘结构以及SiC外延生长设备，其中，卫星盘结构包括：多个卫星盘盘体，各卫星盘盘体分别转动安装在石磨盘对应的柱形槽上，卫星盘盘体上具有安装槽；均热密封片，滑动密封设置在卫星盘盘体的安装槽内，均热密封片和安装槽之间形成气腔，均热密封片具有容纳SiC外延片的生长槽，生长槽具有向中间凹陷的凹陷底壁；多根气管，各气管的一端分别与对应的气腔连通，气管通过向气腔内充气或吸气来控制均热密封片在安装槽内的高度。本申请通过改变气腔的体积，来实现精细控制每一片SIC外延片的温度，提高SIC外延片之间的温度均匀性，达到提升良率的目标。

主权项：1.一种用于提升SIC外延片质量的卫星盘结构，设置在石墨盘上，所述石磨盘上具有多个柱形槽，其特征在于，用于提升SIC外延片质量的卫星盘结构包括：多个卫星盘盘体，各卫星盘盘体分别转动安装在石磨盘对应的柱形槽上，所述卫星盘盘体上具有安装槽；均热密封片，滑动密封设置在所述卫星盘盘体的安装槽内，均热密封片和安装槽之间形成气腔，所述均热密封片具有容纳SiC外延片的生长槽，所述生长槽具有向中间凹陷的凹陷底壁；多根气管，各气管的一端分别与对应的气腔连通，所述气管通过向气腔内充气或吸气来控制所述均热密封片在安装槽内的高度。

全文数据：

权利要求：

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