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申请/专利权人:晶焱科技股份有限公司
摘要:本发明公开一种瞬时电压抑制装置,其包括至少一个N型轻掺杂结构、一第一P型井区、一第二P型井区、一第一N型重掺杂区与一第二N型重掺杂区。第一P型井区与第二P型井区设于N型轻掺杂结构中,第一N型重掺杂区与第二N型重掺杂区分别设于第一P型井区与第二P型井区中,第一P型井区的掺杂浓度高于第二P型井区的掺杂浓度。第一P型井区与第二P型井区可以P型轻掺杂井区来取代,其中P型轻掺杂井区分别具有位于N型重掺杂区的下方的P型重掺杂区。
主权项:1.一种瞬时电压抑制装置,其特征在于,包括:至少一个N型轻掺杂结构;一第一P型井区与一第二P型井区,设于所述至少一个N型轻掺杂结构中;以及一第一N型重掺杂区与一第二N型重掺杂区,分别设于所述第一P型井区与所述第二P型井区中,其中所述第一P型井区的掺杂浓度高于所述第二P型井区的掺杂浓度。
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