申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-11-15

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116156879A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：["20211123 KR 10-2021-0162508"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.23#公开

摘要：一种半导体器件包括衬底上的第一接触插塞、电容器、绝缘分隔层以及第二接触插塞。电容器包括第一电极和第二电极以及介电层。第一电极接触第一接触插塞的上表面，并沿基本垂直于衬底的上表面的竖直方向延伸。第二电极与第一电极间隔开，并沿竖直方向延伸，并且包括分别与第一电极的下表面和上表面基本共面的下表面和上表面。介电层在第一电极和第二电极的侧壁上。绝缘分隔层形成在介电层的在第一电极和第二电极的侧壁上的部分之间。第二接触插塞接触第二电极的上表面。

主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底上的第一接触插塞；电容器，包括：第一电极，接触所述第一接触插塞的上表面，所述第一电极沿基本垂直于所述衬底的上表面的竖直方向延伸；第二电极，与所述第一电极间隔开，所述第二电极沿所述竖直方向延伸，并且包括分别与所述第一电极的下表面和上表面基本共面的下表面和上表面；介电层，在所述第一电极和所述第二电极的侧壁上；绝缘分隔层，在所述介电层的在所述第一电极和所述第二电极的侧壁上的部分之间；以及第二接触插塞，接触所述第二电极的上表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件

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