申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-09-24

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN110957273B

主分类号：H01L21/8234

分类号：H01L21/8234;H01L27/088

优先权：["20180926 US 62/736,684","20190517 US 16/415,557"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2020.05.01#实质审查的生效;2020.04.03#公开

摘要：一种制造半导体装置的方法及全绕栅极场效晶体管。制造半导体装置的方法包含：形成单晶氧化层于基材上。在形成单晶氧化层后，形成隔离结构，以定义出主动区域。形成栅极结构于主动区域内的单晶氧化层上。形成源极漏极结构。

主权项：1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，该制造半导体装置的方法包含：形成一单晶氧化层于一基材上；在形成该单晶氧化层后，形成一隔离结构，以定义出一主动区域；形成一栅极结构于该主动区域内的该单晶氧化层上；在该栅极结构的侧边形成至少一侧壁间隙壁；在形成所述至少一侧壁间隙壁后，去除在一源极漏极区域上的该单晶氧化层；以及形成一源极漏极结构于该源极漏极区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 制造半导体装置的方法及全绕栅极场效晶体管

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