申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

申请日：2019-12-27

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN111697015B

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：["20190315 JP 2019-048072"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2020.10.20#实质审查的生效;2020.09.22#公开

摘要：实施方式的固体摄像装置具备第一导电型的第一半导体层、所述第一半导体层上的第二导电型的第二半导体层、以及位于所述第二半导体层中的第一以及第二检测部。所述第一以及第二检测部在沿着所述第一以及第二半导体层的边界的第一方向上并排地配置。所述装置还具备在所述第一半导体层与所述第一检测部以及所述第二检测部之间分别设置的第一以及第二半导体区域。所述第一以及第二半导体区域包含浓度比所述第二半导体层的第二导电型杂质高的第二导电型杂质。在从所述第一半导体层朝向所述第二半导体层的第二方向上，所述第一检测部具有第一厚度，所述第二检测部具有比所述第一厚度厚的第二厚度。

主权项：1.一种固体摄像装置，具备：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，设于所述第一半导体层之上；第一检测部，位于所述第二半导体层中，并包括第一导电型的第一半导体部；第二检测部，位于所述第二半导体层中，在第一方向上与所述第一检测部并排地配置，并包括第一导电型的第二半导体部，所述第一方向是沿着所述第一半导体层与所述第二半导体层的边界的方向；第一半导体区域，设于所述第一半导体层与所述第一检测部之间，包含浓度比所述第二半导体层的第二导电型杂质及所述第一检测部的所述第一半导体部的第一导电型杂质更高的第二导电型杂质；以及第二半导体区域，设于所述第一半导体层与所述第二检测部之间，包含浓度比所述第二半导体层的第二导电型杂质及所述第二检测部的所述第二半导体部的第一导电型杂质更高的第二导电型杂质，所述第一检测部具有沿着第二方向的第一厚度，所述第二方向是沿着从所述第一半导体层朝向所述第二半导体层的方向，所述第二检测部具有沿着所述第二方向的第二厚度，所述第二厚度比所述第一厚度厚。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 固体摄像装置

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