申请/专利权人：福建华清电子材料科技有限公司

申请日：2022-09-06

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN115448728B

主分类号：C04B35/581

分类号：C04B35/581;C04B35/622;H05B3/22

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2023.02.10#实质审查的生效;2022.12.09#公开

摘要：本发明涉及一种氮化铝陶瓷加热片的制备方法，包括：步骤一、制备氮化铝陶瓷流延浆料；步骤二、制备多个微晶石蜡柱；将各微晶石腊柱设在模具上；模具上开设有凹槽，凹槽底部开设有多个开孔；各微晶石腊柱设在模具底部遮盖各开孔；在模具内注入氮化铝陶瓷流延浆料形成底片生胚；加热融化微晶石蜡柱；将液体微晶石蜡吸走，在底片生胚上形成通孔；步骤三、在底片生胚上设置正极导电接口、负极导电接口和发热电路；步骤四、使发热电路干燥固化；步骤五、继续注入氮化铝陶瓷流延浆料；氮化铝陶瓷流延浆料固化后形成氮化铝基陶瓷生胚；步骤六、烧制氮化铝基陶瓷生胚形成氮化铝陶瓷加热片。通过本方法制备得到的氮化铝陶瓷加热片连接牢固，不易开裂。

主权项：1.一种氮化铝陶瓷加热片的制备方法，包括步骤一、制备氮化铝陶瓷流延浆料；其特征在于，还包括以下步骤：步骤二、制备底片生胚，包括以下子步骤：2.1、制备多个相同的微晶石蜡柱，所述微晶石蜡柱呈圆台状，所述微晶石蜡柱下底面面积大于微晶石蜡柱上底面面积；2.2、将各所述微晶石蜡柱间隔设置在模具上；所述模具上开设有呈长方体的凹槽，并且在所述凹槽底部开设有多个开孔，所述微晶石蜡柱数量与所述凹槽底部的开孔数量相同；将所述模具水平放置，将各所述微晶石蜡柱下底面朝下设置在模具底部，且各所述微晶石蜡柱下底面一一对应设置于各所述开孔位置处，以遮盖住各所述开孔；2.3、在所述模具内注入步骤一制备的氮化铝陶瓷流延浆料，并且氮化铝陶瓷流延浆料不会淹没过各所述微晶石蜡柱的上底面；2.4、将模具设置于低于微晶石蜡柱熔点温度环境下风干，直至模具内的氮化铝陶瓷流延浆料固化形成底片生胚；2.5、对模具加热至微晶石蜡柱熔点温度以上，使各所述微晶石蜡柱融化成液体微晶石蜡；2.6、在所述模具下表面设置负压吸附装置，将所述模具上融化的液体微晶石蜡通过各所述开孔吸走，使所述底片生胚上位于微晶石蜡柱位置形成呈圆台状的通孔；2.7、在所述底片生胚上的各所述通孔内继续通入醋酸乙酯，通过醋酸乙酯溶液清洗各所述通孔内残留的液体微晶石蜡；并且各所述通孔内残留的液体微晶石蜡和醋酸乙酯溶液也通过负压吸附装置从各所述开孔吸走；2.8、对底片生胚各通孔通入清水，清洗各通孔表面残留的醋酸乙酯溶液；并且各所述通孔内的清水也通过负压吸附装置从各所述开孔吸走；而后，撤走负压吸附装置；2.9、加热模具，使各通孔表面残留的清水蒸发；步骤三、在底片生胚上表面的边沿设置有正极导电接口和负极导电接口，并且在底片生胚上表面采用电阻浆料印制发热电路；所述发热电路的正负和负极分别一一对应连接于正极导电接口和负极导电接口形成导电回路；步骤四、加热模具，使底片生胚上表面的电阻浆料干燥固化；步骤五、制备上片生胚，包括以下子步骤：5.1在所述模具上各开孔内设置密封塞，以封堵住各所述开孔；5.2在模具内底片生胚上的各通孔上注入步骤一制得的氮化铝陶瓷流延浆料，并使氮化铝陶瓷流延浆料淹没过底片生胚上表面的发热电路、正极导电接口和负极导电接口；5.3待步骤五中加入模具内的氮化铝陶瓷流延浆料固化后，在所述底片生胚上形成上片生胚；所述底片生胚和上片生胚紧密结合形成氮化铝基陶瓷生胚；将氮化铝基陶瓷生胚从模具内排出；5.4将所述模具上各开孔内的密封塞拔出，所述模具和密封塞回收使用；步骤六、烧制所述氮化铝基陶瓷生胚，形成氮化铝陶瓷加热片。

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