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【发明公布】一种基于BiCMOS工艺的MLVDS接收器电路_北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所_202310147908.4 

申请/专利权人:北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所

申请日:2023-02-21

公开(公告)日:2023-06-09

公开(公告)号:CN116248139A

主分类号:H04B1/16

分类号:H04B1/16

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.06.27#实质审查的生效;2023.06.09#公开

摘要:本发明涉及一种基于BiCMOS工艺的MLVDS接收器电路,包括共模变换电路、预放大电路、type1和type2控制电路、迟滞比较器电路和差分转单端电路。共模变换电路对宽共模范围的输入信号进行压缩处理;预放大电路识别并放大压缩后的差分信号;type1和type2控制电路控制MLVDS接收器的工作模式;迟滞比较器在对差模信号放大的同时引入了迟滞功能,实现对差模噪声的抑制,提供电路抗干扰能力;差分转单端电路完成差分信号到单端信号的转换。本发明提供的一种基于BiCMOS工艺的MLVDS接收器电路,该电路通过BiCMOS工艺实现,通过电阻分压网络可以实现宽共模范围的输入,同时实现type1和type2两种工作模式,满足MLVDS标准要求。

主权项:1.一种基于BiCMOS工艺的MLVDS接收器电路,其特征在于,包括共模变换电路、预放大电路、type1和type2控制电路、迟滞比较器电路和差分转单端电路;共模变换电路:对宽共模范围的差分输入信号进行压缩处理,使其能够被预放大电路识别;预放大电路:识别前级被压缩后的差分信号,将被压缩差分信号幅值放大至压缩前幅值;type1和type2控制电路:通过控制内部选择器选通实现差分信号偏移,从而控制MLVDS接收器的工作模式;迟滞比较器电路:通过引入迟滞实现对差模噪声的抑制;差分转单端电路:完成差分信号到单端信号的转换,实现信号输出。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 一种基于BiCMOS工艺的MLVDS接收器电路

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