申请/专利权人：苏州科阳半导体有限公司

申请日：2022-12-01

公开（公告）日：2023-06-13

公开（公告）号：CN116259552A

主分类号：H01L21/60

分类号：H01L21/60;H01L23/485

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.30#实质审查的生效;2023.06.13#公开

摘要：本发明提供了一种晶圆级RDL应力敏感区域的加固结构与加固方法，属于半导体加工技术领域。本发明通过在RDL布线之前或之后，在RDL拐角处电镀金属加固层，从而在RDL布线层的拐角处增设一层位于RDL布线层的上部或下部的金属加固层。通过局部加固的方法，有效缓解RDL拐角处这一敏感区域应力的硬度，降低RDL拐角处的最大应力值，提升可靠寿命。

主权项：1.一种晶圆级RDL应力敏感区域的加固方法，其特征在于，包括以下步骤：S1在洁净的硅片表面进行清洗，并在硅片表面形成一层钝化层；S2通过物理溅射、磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层，作为衬底；S3在RDL布线之前或之后，在RDL转角处电镀金属加固层；RDL布线的步骤为：S3.1在种子层上形成光刻胶层，经曝光处理后形成重布线层图形和光刻胶衬底图形；S3.2采用电化学电镀法电镀重布线层，利用光刻技术去除光刻胶衬底图形，完成RDL布线层；电镀金属加固层的步骤为：S3.1在RDL布线层上或硅片表面设置保护层，仅暴露RDL转角处；S3.2采用电化学电镀的方法在RDL转角处的区域电镀金属加固层；S3.3电镀完成后去除保护层，得到加固层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州科阳半导体有限公司 一种晶圆级RDL应力敏感区域的加固结构与加固方法

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