申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2023-03-20

公开（公告）日：2023-06-23

公开（公告）号：CN116295183A

主分类号：G01B21/02

分类号：G01B21/02;C01G37/00;C01B25/14;C23C14/30;G01G9/00;G01H9/00;B81B3/00;B81B7/02;B81C1/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.07.11#实质审查的生效;2023.06.23#公开

摘要：本发明公开一种基于CrPS4薄膜机械振子的位移和质量传感装置及方法，包括：衬底，CrPS4薄膜，衬底包括Si基底、SiO2层、Si3N4层、Ti和Au复合层；Ti和Au复合层、Si3N4层、SiO2层的中部设有凹槽，凹槽底部设有Ti和Au复合层构成的电极；CrPS4薄膜的中间部分悬浮于所述凹槽上方；在4k的温度下，CrPS4薄膜机械振子具有高达85～93dB的宽动态范围和高达3000‑4500的品质因子，传感装置的位移和质量灵敏度分别为14～18fmHz12和0.9‑1.7yg，这相当于一个质子或一个氢原子的质量，从而开辟了在未来的惯性质谱测量中区分不同化学元素的可能性。超高质量灵敏度的CrPS4机械振子为质谱、磁力计和吸附实验提供了新的机会。

主权项：1.一种基于CrPS4薄膜机械振子的位移和质量传感装置，其特征在于，包括：衬底，以及衬底上方的CrPS4薄膜，衬底包括Si基底5、Si基底5上方的SiO2层4、SiO2层4上方的Si3N4层3、Si3N4层3上方的Ti和Au复合层2；Ti和Au复合层2、Si3N4层3、SiO2层4的中部设有一个凹槽，凹槽底部设有Ti和Au复合层构成的电极6；CrPS4薄膜的两侧固定于最上方的Ti和Au复合层2的上表面，其中间部分悬浮于所述凹槽上方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 基于CrPS₄薄膜机械振子的位移和质量传感装置及方法

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