申请/专利权人：西安矽源半导体有限公司

申请日：2023-04-14

公开（公告）日：2023-07-18

公开（公告）号：CN116450160A

主分类号：G06F8/61

分类号：G06F8/61

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.08.04#实质审查的生效;2023.07.18#公开

摘要：本发明涉及集成电路设计技术领域，具体涉及一种提高E‑fuse烧写成功率的烧写方法及系统，通过对烧写信息的计算，得到烧写信息中待熔断E‑fuse的数量，并得到待熔断E‑fuse在烧写信息中的位置，按照烧写信息中每一位是否存在待熔断E‑fuse来设定烧写控制信息，使每一个烧写控制信息中存在一个待熔断E‑fuse，随后依次将烧写控制信息输入E‑fuse阵列中，使与待熔断E‑fuse对应的E‑fuse熔断，从而在接收到一个烧写控制信息时完成一个E‑fuse的烧写，从而使单次的烧写电流较低，保证烧写电流电压稳定，降低烧写难度，提高烧写稳定可靠性，避免漏烧或者熔断不彻底的问题，提高烧写成功率。

主权项：1.一种提高E-fuse烧写成功率的烧写方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采集烧写信息，计算烧写信息中待熔断E-fuse的数量；S2、遍历烧写信息，确定每一个待熔断E-fuse在烧写信息中的位置，得到每一个待熔断E-fuse的位置信息；S3、根据当前烧写信息中待熔断E-fuse的数量和烧写信息中每一个待熔断E-fuse的位置信息，得到多个含有一个待熔断E-fuse的烧写控制信息，所述烧写控制信息的数量与烧写信息中待熔断E-fuse的数量相等，每一个烧写控制信息中待熔断E-fuse的位置与烧写信息中每一个待熔断E-fuse的位置一一对应，将所有烧写控制信息打包得到烧写控制集；S4、将烧写控制信息集中的烧写控制信息依次发送给E-fuse阵列，完成对应E-fuse的烧写；所述E-fuse阵列包括依次排列的多个E-fuse。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安矽源半导体有限公司 一种提高E-fuse烧写成功率的烧写方法及系统

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