申请/专利权人:江苏展芯半导体技术有限公司
申请日:2023-07-06
公开(公告)日:2023-08-04
公开(公告)号:CN116540148A
主分类号:G01R31/52
分类号:G01R31/52
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.09.05#授权;2023.08.22#实质审查的生效;2023.08.04#公开
摘要:本发明公开了一种高压下TBU器件的漏电测试电路,属于漏电测试技术领域,包括第一电源、第二电源、第一电容,第一开关管与第二开关管,所述第一电源的正极连接所述第一开关管的阳极,所述第一开关管的阴极连接TBU器件的第一端,所述第二电源的正极连接所述TBU器件的第一端,所述第一电源的负极接地,所述TBU器件的第二端接地,所述第二电源的负极接地,所述第一电容并联在所述第一电源两端,所述第一开关管的门极连接所述第二开关管的集电极,所述第二开关管的集电极接地,所述第二开关管的发射极连接第三电源,所述第二开关管的基极连接第一端口,所述第一端口连接TTL电平信号。本发明一种高压下TBU器件的漏电测试电路结构简单,易于实现。
主权项:1.一种高压下TBU器件的漏电测试电路,其特征在于,包括第一电源、第二电源、第一电容,第一开关管与第二开关管,所述第一电源的正极连接所述第一开关管的阳极,所述第一开关管的阴极连接TBU器件的第一端,所述第二电源的正极连接所述TBU器件的第一端,所述第一电源的负极接地,所述TBU器件的第二端接地,所述第二电源的负极接地,所述第一电容并联在所述第一电源两端,所述第一开关管的门极连接所述第二开关管的集电极,所述第二开关管的集电极接地,所述第二开关管的发射极连接第三电源,所述第二开关管的基极连接第一端口,所述第一端口连接TTL电平信号。
全文数据:
权利要求:
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