申请/专利权人：福州大学

申请日：2021-05-26

公开（公告）日：2023-08-04

公开（公告）号：CN113114168B

主分类号：H03H17/02

分类号：H03H17/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.04#授权;2021.07.30#实质审查的生效;2021.07.13#公开

摘要：本发明涉及一种基于改进体偏置技术的差分colpittsFBAR振荡器电路，包括依次连接的电源电压端口、改进体偏置的核心振荡电路单元和差分输出端口；所述电源电压端口用于提供电源电压；所述改进体偏置的核心振荡电路单元，提供负阻用于补偿谐振回路的能量损耗维持振荡;所述差分输出端口用于输出正弦信号。本发明实现在较低的电源电压下也可以实现较大的摆幅，满足了低功耗下也能启动稳定，且整体电路可集成度高，此外，通过差分colpitts结构增加了环路增益，降低了传统colpitts结构的起振要求。

主权项：1.一种基于改进体偏置技术的差分ColpittsFBAR振荡器电路，其特征在于，包括依次连接的电源电压端口、改进体偏置的核心振荡电路单元和差分输出端口；所述电源电压端口用于提供电源电压；所述改进体偏置的核心振荡电路单元，提供负阻用于补偿谐振回路的能量损耗维持振荡；所述差分输出端口用于输出正弦信号；所述输出正弦信号包括输出两个频率为1.93GHz且相位差为180°的正弦信号；所述改进体偏置的核心振荡电路单元采用改进的C类振荡器拓扑结构，并引入一个额外的RC滤波网络，通过偏置电压端口为NMOS对的栅极提供一个直流偏置电压；所述改进体偏置的核心振荡电路单元具体包括MOS管NM1、NM2、NM3、NM4，反馈电容C1、C2、C3、C4，FBAR谐振器以及电阻R1、R2、R3、R4；所述电阻R3的正端、电阻R4的正端、NM1的漏极、NM2的漏极均与电源电压VDD连接；所述NM1、NM4的栅极、反馈电容C1的正端、R4的负端均与FBAR谐振器的一端连接；所述NM2、NM3的栅极、反馈电容C2的正端和R3的负端均与FBAR谐振器的另一端连接；所述反馈电容C1负端和反馈电容C3的正端连接；所述反馈电容C2负端和反馈电容C4的正端连接；所述反馈电容C3的负端、反馈电容C4的负端、NM3的源极、NM4的源极均连接至GND；所述NM1、NM2的源极分别与NM3、NM4的漏极连接；所述NM1、NM3的衬底端分别与R1的两端连接，且R1的正端还与NM1的漏端连接；所述NM2、NM4的衬底端分别于R2的两端连接，且R2的正端还与NM2的漏端连接；所述电源电压端口包括电源端口、偏置电压端口，用于提供0.5V的电源电压，振荡器频率为1.93GHz。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福州大学 基于改进体偏置技术的差分colpitts FBAR振荡器电路及方法

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