申请/专利权人：上海航天测控通信研究所

申请日：2020-04-28

公开（公告）日：2023-09-05

公开（公告）号：CN111430458B

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.05#授权;2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开

摘要：本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAsGaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAsGaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式栅和槽栅，槽栅的刻蚀区域边界距离相应的鳍式栅的顶栅区域边界的距离小于100nm；栅电极与若干层AlGaAsGaAs异质结的顶部及两个侧壁之间还包括绝缘介质层。本发明同时采用了三维鳍栅与凹形槽栅结构，使得栅不仅从上端对沟道进行控制，而且100nm以内的栅宽使得三维鳍栅电极能从侧面对沟道电子进行控制，明显加强栅控能力，提高器件跨导和器件增益能力；同时引入绝缘介质层，能有效降低由于鳍式结构刻蚀与槽栅刻蚀引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，提高器件的击穿电压。

主权项：1.多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAsGaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAsGaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，所述AlGaAsGaAs异质结包括GaAs层和AlGaAs势垒层，且所述GaAs层靠近所述GaAs或锗衬底，所述源电极和所述漏电极分别位于所述SiN钝化层两侧的所述GaAs帽层上，所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极中间，其特征在于：所述栅电极包括鳍式栅和槽栅，所述鳍式栅覆盖在若干层所述AlGaAsGaAs异质结的顶部及两个侧壁形成，所述鳍式栅的顶栅区域上刻蚀有凹形的所述槽栅，所述槽栅的刻蚀深度至距离所述GaAs或锗衬底最近的所述AlGaAs势垒层处，所述槽栅的刻蚀区域边界距离相应的所述鳍式栅的顶栅区域边界的距离小于100nm；所述栅电极与若干层所述AlGaAsGaAs异质结的顶部及两个侧壁之间还包括绝缘介质层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海航天测控通信研究所 多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及其制备方法

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