申请/专利权人：江苏展芯半导体技术有限公司

申请日：2023-07-06

公开（公告）日：2023-09-05

公开（公告）号：CN116540148B

主分类号：G01R31/52

分类号：G01R31/52

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.05#授权;2023.08.22#实质审查的生效;2023.08.04#公开

摘要：本发明公开了一种高压下TBU器件的漏电测试电路，属于漏电测试技术领域，包括第一电源、第二电源、第一电容，第一开关管与第二开关管，所述第一电源的正极连接所述第一开关管的阳极，所述第一开关管的阴极连接TBU器件的第一端，所述第二电源的正极连接所述TBU器件的第一端，所述第一电源的负极接地，所述TBU器件的第二端接地，所述第二电源的负极接地，所述第一电容并联在所述第一电源两端，所述第一开关管的门极连接所述第二开关管的集电极，所述第二开关管的集电极接地，所述第二开关管的发射极连接第三电源，所述第二开关管的基极连接第一端口，所述第一端口连接TTL电平信号。本发明一种高压下TBU器件的漏电测试电路结构简单，易于实现。

主权项：1.一种高压下TBU器件的漏电测试电路，其特征在于，包括第一电源、第二电源、第一电容，第一开关管与第二开关管，所述第一电源的正极连接所述第一开关管的阳极，所述第一开关管的阴极连接TBU器件的第一端，所述第二电源的正极连接所述TBU器件的第一端，所述第一电源的负极接地，所述TBU器件的第二端接地，所述第二电源的负极接地，所述第一电容并联在所述第一电源两端，所述第一开关管的门极连接所述第二开关管的集电极，所述第二开关管的集电极接地，所述第二开关管的发射极连接第三电源，所述第二开关管的基极连接第一端口，所述第一端口连接TTL电平信号，所述第一电源的电压小于所述第二电源的电压，所述第一电源为所述第一电容充电后，应使得所述第一电容放电的电流能让TBU器件进入小电流阶段。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏展芯半导体技术有限公司 一种高压下TBU器件的漏电测试电路

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