申请/专利权人：华闽南配集团股份有限公司

申请日：2023-06-21

公开（公告）日：2023-09-29

公开（公告）号：CN116815133A

主分类号：C23C14/32

分类号：C23C14/32;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/02;F02F5/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.10.24#实质审查的生效;2023.09.29#公开

摘要：本发明涉及一种CrN涂层尖头刮片环及其涂层制备工艺，通过多弧离子镀技术，金属Cr为靶材，以氮气为反应气体，对表面清洗处理后的基体施加负偏压，对Cr靶施加电流，在基体表面沉积CrN涂层，所述工艺为：刮片环表面进行清洗预处理；刮片环表面进行IET清洗；刮片环进行三次轰击；通过多弧离子镀膜机对刮片环表面进行CrN镀膜及镀纯铬层；CrN镀膜完成后，降低多弧离子镀膜机的炉内温度，取出带有CrN涂层的刮片环，本发明设计的一种CrN涂层尖头刮片环及其涂层制备工艺，大幅提高CrN涂层的结合强度，解决膜层脱落的问题，同时镀膜前不做喷砂处理，有效改善膜层粗糙度，降低后序加工难度，提升成品率。

主权项：1.一种CrN涂层尖头刮片环涂层工艺，包括多弧离子镀膜机，通过多弧离子镀技术，金属Cr为靶材，以氮气为反应气体，对表面清洗处理后的基体施加负偏压，对Cr靶施加电流，在基体表面沉积CrN涂层，其特征在于，将所述多弧离子镀膜机的分为三组弧源，分别为第一组铬靶弧源、第二组铬靶弧源、第三组钛靶弧源，所述工艺步骤如下：步骤1：刮片环表面进行清洗预处理；步骤2：刮片环表面进行IET清洗，多弧离子镀膜机打开偏压100V，频率40HZ，占空比70％；步骤3：刮片环进行三次轰击，第一次轰击中，多弧离子镀膜机打开偏压600V，频率40HZ，占空比70％；第二次轰击中，多弧离子镀膜机打开偏压800V，频率40HZ，占空比70％；第三次轰击中，多弧离子镀膜机打开偏压800V，频率40HZ，占空比70％；步骤4：通过多弧离子镀膜机对刮片环表面进行镀铬层，然后进行CrN镀膜；步骤5：CrN镀膜完成后，降低多弧离子镀膜机的炉内温度，取出带有CrN涂层的刮片环。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华闽南配集团股份有限公司 一种CrN涂层尖头刮片环及其涂层制备工艺

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