申请/专利权人：华侨大学

申请日：2023-07-06

公开（公告）日：2023-10-13

公开（公告）号：CN116887605A

主分类号：H10K30/20

分类号：H10K30/20;H10K30/30;H10K71/12;H10K71/15;H10K71/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.10.31#实质审查的生效;2023.10.13#公开

摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体公开了一种基于HAL作为分子桥制备钙钛矿太阳能电池的方法，包括TO导电玻璃的清洗、ETL的制备、HAL分子桥的制备、钙钛矿层的制备、空穴传输层的制备、对电极的制备。本发明通过在电子传输层ETL和钙钛矿PVK之间引入具有双侧供电子基团的6‑氨基‑1‑己醇HAL作为分子桥，实现对SnO2层表面的钝化，并改善其能级，更有利于电子传输，同时HAL中的供电子基团连接ETL和PVK，并钝化PVK的缺陷，降低PVK的缺陷密度，减少非辐射复合，加速了电子的提取与传输速度，达到提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率PCE和长期稳定性。

主权项：1.一种基于HAL作为分子桥制备钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：ITO导电玻璃的清洗：对蚀刻后的ITO导电玻璃分别用去离子水、乙醇和丙酮超声清洗，清洁后的玻璃基板用N2干燥待用；S2：ETL的制备：用去离子水稀释氧化锡胶体溶液，超声混合均匀；将稀释后的氧化锡水胶体溶液自旋涂在ITO衬底上，然后经过热处理获得ETL；S3：HAL分子桥的制备：将HAL水溶液旋涂在步骤S2制备的ETL上，然后进行热处理获得HAL修饰的ETL；S4：钙钛矿层的制备：采用两步法制备钙钛矿层，将PbI2溶液旋涂在HAL修饰的ETL上得到PbI2薄膜，退火处理后将混合铵盐异丙醇溶液旋涂在上述PbI2薄膜上，再经退火处理得到钙钛矿层；S5：空穴传输层的制备：将spiro-OMeTAD溶解在氯苯中制得spiro-OMeTAD氯苯溶液，然后加入t-BP和Li-TFSI乙腈溶液得到混合溶液，然后旋涂在钙钛矿层上制得空穴传输层；S6：对电极的制备：用甲醇与DMF混合溶液擦拭电极空白区域，将器件放入高真空镀膜机中蒸镀银对电极，完成电池组装。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华侨大学 一种基于HAL作为分子桥制备钙钛矿太阳能电池的方法

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