申请/专利权人：德拉克通信科技公司

申请日：2023-03-29

公开（公告）日：2023-10-17

公开（公告）号：CN116892018A

主分类号：C23C16/511

分类号：C23C16/511;C23C16/40;C23C16/52;G02B6/02;G02B6/00

优先权：["20220330 NL 2031450"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.10.17#公开

摘要：本发明涉及用于制造初级预制品的PCVD沉积工艺以及由这种预制品形成光纤的方法。本发明涉及一种在中空氧化硅基管中通过内部等离子体化学气相沉积PCVD工艺制造光纤用初级预制品的方法，所述基管具有供给侧和排出侧，该方法包括通过经由中空基管的供给侧向中空基管的内部供给玻璃形成气体，以及通过借助于具有微波功率的微波辐射在中空基管的内部产生等离子体反应区，在所述中空基管的内表面上沉积掺杂或非掺杂的氧化硅层，其中在沉积期间微波功率降低。此外，本发明涉及一种用于形成光纤的方法以及通过所述方法可直接获得的初级预制品和光纤。

主权项：1.一种在中空氧化硅基管中通过内部等离子体化学气相沉积PCVD工艺制造光纤用初级预制品的方法，所述基管具有供给侧和排出侧，所述方法包括通过经由所述中空基管的供给侧向所述中空基管的内部供给玻璃形成气体，以及通过借助于具有微波功率的微波辐射在所述中空基管的内部产生等离子体反应区，在所述中空基管的内表面上沉积掺杂或非掺杂的氧化硅层，其中在至少部分的沉积期间，所述微波功率连续降低。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 德拉克通信科技公司 用于制造初级预制品的PCVD沉积工艺以及由这种预制品形成光纤的方法

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