申请/专利权人：平顶山学院

申请日：2021-10-30

公开（公告）日：2023-10-17

公开（公告）号：CN114000108B

主分类号：C23C14/16

分类号：C23C14/16;C23C14/35;C23C14/58

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.17#授权;2022.02.22#实质审查的生效;2022.02.01#公开

摘要：本发明属于半导体异质结器件技术领域，特别是涉及一种在ZnSeSi异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法，该方法首先以p型硅为衬底，利用直流磁控溅射技术在硅片上依次沉积Cd和Zn金属纳米层，制备出纳米结构ZnCdSi；然后将纳米结构ZnCdSi在乙二醇溶液中与Se直接反应，制备出ZnSeCdSeSi异质结。本发明利用磁控溅射技术和元素直接反应相结合的方法，实现在ZnSeSi异质结界面嵌入CdSe纳米薄膜调控层，一方面，减小了ZnSeCdSe界面的位错缺陷态密度，另一方面，嵌入的CdSe纳米薄膜调控层易于控制，从而提高了基于ZnSeCdSeSi异质结电子器件的光电性能。

主权项：1.一种在ZnSeSi异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1，以p型硅为衬底，利用直流磁控溅射技术在硅片上依次沉积Cd和Zn金属纳米层，制备出纳米结构ZnCdSi，具体实现过程如下：步骤11，将切割好的硅片放入磁控溅射室的样品支架上，对磁控溅射室抽真空到10-6Pa，然后向磁控溅射室充入氩气，保持溅射室真空度为10-1-50Pa；步骤12，调整Cd靶材与硅片间的距离为5.0cm，将样品支架加热到100℃，保持5min，使样品支架上的硅片受热均匀；步骤13，设置溅射功率为5-80W，打开Cd靶材的挡板，开始溅射，溅射时间为0-60s，制备纳米结构CdSi；步骤14，将纳米结构CdSi移动至Zn靶材处，保持距离为5.0cm；步骤15，设置溅射功率为5-80W，打开Zn靶材的挡板，开始溅射，溅射时间为30-240s，制备纳米结构ZnCdSi；步骤16，保持磁控溅射室内压强不变，自然冷却至室温；步骤2，将纳米结构ZnCdSi在乙二胺溶液中与Se直接反应，制备出ZnSeCdSeSi异质结，具体实现过程如下：步骤21，将Se粉溶于乙二胺溶液，并移入水热釜中，保持填充度为50%-90%；步骤22，将纳米结构ZnCdSi置于Se和乙二胺的混合溶液中；步骤23，将水热釜放入恒温箱中，保持箱内温度80-230℃，腐蚀时间30-240min；步骤24，将水热釜从恒温箱中取出，自然冷却至室温，得到CdSe纳米薄膜层嵌入ZnSeSi异质结，即ZnSeCdSeSi异质结。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 平顶山学院 在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法

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