申请/专利权人：浙江芯科半导体有限公司

申请日：2023-04-17

公开（公告）日：2023-10-20

公开（公告）号：CN116916718A

主分类号：H10K71/00

分类号：H10K71/00;H10K10/20;H10K85/50

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.07#实质审查的生效;2023.10.20#公开

摘要：本发明公开了一种利用本征钙钛矿优化JBS二极管的工艺方法，S1、首先在N+衬底上通过MOCVD外延生长形成N‑外延层；S2、首先通过PECVD在N‑外延层上生长一层SiO2掩模层，然后进行涂胶操作，涂胶以后用掩模板光刻并曝光，在N‑外延层上得到两个沟槽图案以用于P型材料沟槽的刻蚀；S3、将器件进行刻蚀，刻蚀出两个沟槽；S4、将器件放入X中用于去除剩余的SiO2，得到沟槽型的N‑外延层。本发明与现有技术相比优点在于：本发明为利用本征钙钛矿和明确金属种类来优化JBS二极管的工艺流程，一为在PN结之间加一层本征钙钛矿的易合成，成本较低的本征钙钛矿层来解决PN结势垒厚度较薄的问题，增加反向耐压，二是通过金半接触的机理和正负极电子的流向来确定金属的种类。

主权项：1.一种利用本征钙钛矿优化JBS二极管的工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、首先在N+衬底上通过MOCVD外延生长形成N-外延层；S2、首先通过PECVD在N-外延层上生长一层SiO2掩模层，然后进行涂胶操作，涂胶以后用掩模板光刻并曝光，在N-外延层上得到两个沟槽图案以用于P型材料沟槽的刻蚀；S3、将器件进行刻蚀，刻蚀出两个沟槽；S4、将器件放入X中用于去除剩余的SiO2，得到沟槽型的N-外延层；S5、对器件此时的沟槽型的N-外延层进行旋胶处理，然后进行掩模和曝光处理，在显影之后除了沟槽部分其它部分将都有光刻胶成分；S6、制备本征钙钛矿，在N-外延层上进行多次旋涂和退火处理，然后进行去胶形成如图所示的结构，将只有沟槽侧壁部分含有钙钛矿结构；S7、在N-外延层上制备掩模层,用光刻刻蚀工艺形成掩模图形,通过离子注入手段形成P+注入区；S8、最后进行器件的电极蒸镀处理，在表面蒸镀一层导电金属层A充当正极，在器件背面蒸镀一层导电金属层B以充当器件的负极。

全文数据：

权利要求：

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