申请/专利权人：昆明理工大学

申请日：2023-08-14

公开（公告）日：2023-10-24

公开（公告）号：CN116924796A

主分类号：C04B35/493

分类号：C04B35/493;C04B35/622

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.10#实质审查的生效;2023.10.24#公开

摘要：本发明公开一种ABO3型低介电损耗陶瓷及其制备方法，属于高熵陶瓷材料技术领域。本发明所述高熵陶瓷材料的化学式为Pb1‑1.5xLaxZr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25O3x＝0～0.04，且x≠0；制备过程为按照设计的化学计量比分别称量PbO、TiO2、ZrO2、SnO2、HfO2、La2O3粉末，之后进行湿法球磨、干燥、研磨、煅烧，对所得煅烧粉末进行二次球磨、干燥、研磨、压制成型，最后经空气中烧结得到；高熵陶瓷在1kHz测试频率下，在193℃左右的温度下介电常数高达24920；其中，Pb0.97La0.02Zr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25O3在测试温度为250～350℃、在1kHz和10kHz和100kHz测试频率下，介电损耗均低于0.001；Pb0.97La0.02Zr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25O3高熵陶瓷有望成为高介电常数、低介电损耗的陶瓷电容器的候选材料。

主权项：1.一种ABO3型低介电损耗陶瓷，其特征在于，所述介电损耗陶瓷在A位进行元素掺杂、在B位进行高熵化设计，所述低介电损耗陶瓷的化学式为：Pb1-1.5xLaxZr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25O3，x＝0～0.04，且x≠0。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 昆明理工大学 一种ABO₃型低介电损耗陶瓷及其制备方法

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