申请/专利权人：浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司

申请日：2023-06-09

公开（公告）日：2023-10-27

公开（公告）号：CN116949567A

主分类号：C30B25/16

分类号：C30B25/16;H01L21/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.14#实质审查的生效;2023.10.27#公开

摘要：本发明涉及一种关于外延后背封pattern解决办法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：外延时由于高温环境下外延片会产生一定的形变，在外延片加上一层背封后形变会更加明显。第二步：将外延片从反应腔里取出时，需要由三枚顶针从基座底部升起，并将外延片从基座上托起，再通过后端机械手臂将外延片从反应腔中取出；形变较大的情况下外延片背面会与手臂接触，并因为背封的质地问题留下手臂印记。第三步：外延片经过外延的高温后会产生形变，但降温后形变会在一定程度上有所恢复。具有操作便捷和质量稳定性好的特点。消除背封因质地产生的机械手臂pattern，提高外延良率。

主权项：1.一种关于外延后背封pattern解决办法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：外延时由于高温环境下外延片会产生一定的形变，在外延片加上一层背封后形变会更加明显；第二步：将外延片从反应腔里取出时，需要由三枚顶针从基座底部升起，并将外延片从基座上托起，再通过后端机械手臂将外延片从反应腔中取出；形变较大的情况下外延片背面会与手臂接触，并因为背封的质地问题留下手臂印记；第三步：外延片经过外延的高温后会产生形变，但降温后形变会在一定程度上有所恢复。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司 关于外延后背封pattern解决办法

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