申请/专利权人：南通大学

申请日：2023-07-12

公开（公告）日：2023-11-03

公开（公告）号：CN116995101A

主分类号：H01L29/861

分类号：H01L29/861;H01L29/06;H01L29/66;B82Y30/00;H01F7/02;H01F1/11

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.21#实质审查的生效;2023.11.03#公开

摘要：本发明涉及功率二极管领域，公开了一种外磁场增强击穿电压的多结端扩展碳化硅功率二极管，该二极管为沿着中心对称的圆柱形结构，包括自下而上依次层叠的n+型SiC衬底层、i型SiC外延层；在i型SiC外延层顶面设有圆片形的p+型SiC层，在p+型SiC层的外周呈同心圆状拓展形成JTE‑1层和JTE‑2层；在p+型SiC层、JTE‑1层和JTE‑2层顶面设置有环状结构的SiO2层，在SiO2层内掺杂形成同心环状结构的第一纳米永磁性颗粒区和第二纳米永磁性颗粒区，在碳化硅二极管正上方施加一个永磁体。本发明采用内外磁场的共同作用，使得JTE终端结构内的空穴纵向分布更加均匀，提高碳化硅功率二极管的击穿电压。

主权项：1.一种外磁场增强击穿电压的多结端扩展碳化硅功率二极管，其特征在于，所述碳化硅功率二极管（100）为沿着中心对称的圆柱形结构，包括自下而上依次层叠的n+型SiC衬底层（1）、i型SiC外延层（2）；在所述i型SiC外延层（2）顶面中设有圆片形的p+型SiC层（3），在所述p+型SiC层（3）的外周呈同心圆状自内向外拓展依次形成环形结构均匀掺杂的JTE-1层（4）和JTE-2层（5）；在所述p+型SiC层（3）、JTE-1层（4）和JTE-2层（5）顶面设置有环状结构的SiO2层（6），在所述SiO2层（6）内掺杂形成同心环状结构的第一纳米永磁性颗粒区（7）和第二纳米永磁性颗粒区（8），所述第一纳米永磁性颗粒区（7）位于p+型SiC层（3）与JTE-1层（4）交界处正上方，所述第二纳米永磁性颗粒区（8）位于JTE-1层（4）与JTE-2层（5）交界处的正上方；在所述碳化硅二极管（100）正上方施加一个永磁体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南通大学 一种外磁场增强击穿电压的多结端扩展碳化硅功率二极管及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD