申请/专利权人：华映科技(集团)股份有限公司

申请日：2023-08-08

公开（公告）日：2023-11-03

公开（公告）号：CN116995077A

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.11.03#公开

摘要：本发明提供一种背沟道BCE氧化物阵列基板及其制备方法，方法步骤如下：步骤1、栅极与COM电极共用同一枚光罩进行制备；步骤2、源漏极、COM信号线与半导体层共用同一枚光罩进行制备；步骤3、钝化层与栅极绝缘层共用一枚光罩进行挖孔，制备第一通孔、第二通孔以及第三通孔，分别露出漏极表面、COM信号线表面以及COM电极表面；步骤4、成膜第二透明导电层并利用一枚光罩制备出像素电极与桥接电极，其中像素电极通过第一通孔与漏极连接，桥接电极分别通过第二通孔和第三通孔桥接COM信号线和COM电极，以此实现信号的上下层传递。本发明通过优化结构和生产工艺，仅利用4枚光罩即可生产出所需高品质金属氧化物整列基板，大大降低了生产成本，提高生产效率。

主权项：1.一种背沟道BCE氧化物阵列基板，其特征在于：包括基板，第一透明导电层，设置在所述基板上，所述第一透明导电层包括第一ITO层和第一电极；第一金属层，设置在所述第一ITO层上，所述第一金属层与所述第一ITO层组成栅极；栅极绝缘层，设置在所述第一金属层和所述第一电极上；半导体层，设于所述栅极绝缘层上；第二金属层，设置在所述半导体层上，所述第二金属层包括源极、漏极以及COM信号线；钝化层，设置在所述第二金属层上，所述钝化层开设有第一通孔、第二通孔以及第三通孔，所述第一通孔位于所述漏极上方，且从所述第一通孔露出所述漏极的上表面；所述第二通孔位于所述COM信号线的上方，且从所述第二通孔露出所述COM信号线的上表面；所述第三通孔向下贯穿所述栅极绝缘层，且从所述第三通孔露出所述第一电极上表面；第二导电透明层，设置在所述钝化层上，所述第二导电透明层包括第二电极和桥接电极；当所述第二电极通过所述第一通孔与所述漏极连接时，所述第二电极则为像素电极；所述桥接电极分别通过第二通孔和第三通孔桥接所述COM信号线和所述第一电极，则所述第一电极为COM电极。

全文数据：

权利要求：

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