申请/专利权人：福建华佳彩有限公司

申请日：2020-07-31

公开（公告）日：2020-11-20

公开（公告）号：CN111968945A

主分类号：H01L21/77(20170101)

分类号：H01L21/77(20170101);H01L27/12(20060101);H01L29/786(20060101);H01L21/34(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.08#实质审查的生效;2020.11.20#公开

摘要：本发明公开了一种BCE结构TFT的制作方法及结构，在有源层上涂布负型光阻层，对负型光阻层曝光显影，保留有源层上的负型光阻层，光罩中间对应有源层中间上方位置为透明区域，光罩两侧对应源漏极位置为遮光区域；沉积源漏极金属层；涂布正型光阻层，对正型光阻层曝光显影，去除部分正型光阻层；以正型光阻层为掩膜，蚀刻源漏极金属薄膜；去除正型光阻层。本方法通过2次曝光显影，采用负型光阻在有源层上方沟道区留下光阻，保护有源层在源漏极金属层蚀刻中不受酸液或等离子体的损伤，先沉积SD金属层，再用正型光阻，并形成SD。在不增加光罩兼容现有工艺流程下，就能够保护有源层在沟道处不受SD蚀刻影响，而提高TFT电性均匀性和稳定性。

主权项：1.一种BCE结构TFT的制作方法，其特征在于，包括步骤：在有源层上涂布负型光阻层，并采用光罩对负型光阻层曝光、显影，保留有源层上的负型光阻层，所述光罩中间对应有源层中间上方位置为透明区域，所述光罩两侧对应源漏极位置为遮光区域；沉积源漏极金属层；涂布正型光阻层，并采用所述光罩对正型光阻层曝光、显影，去除有源层中间上方位置的正型光阻层；以正型光阻层为掩膜，蚀刻有源层中间上方位置源漏极金属薄膜；去除正型光阻层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建华佳彩有限公司 一种BCE结构TFT的制作方法及结构

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